[发明专利]一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法

权利要求书

1.一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)利用集成电路工艺形成SiO₂/Si衬底，具体过程如下：

(1)向弱p型单晶硅衬底进行磷离子的高能注入，形成n型硅阱；

(2)利用热氧化的方法形成栅二氧化硅层，然后利用CVD工艺在栅二氧化硅层表面形成多晶硅层；

(3)先刻蚀多余的多晶硅和栅二氧化硅，形成正方形的多晶硅层和栅二氧化硅层，然后在n型硅阱和多晶硅层的表面生长二氧化硅介质层，通过刻蚀和沉积在二氧化硅介质层内部形成钨通孔，所述钨通孔与所述n型硅阱表面相连；

(4)利用集成电路后端工艺形成金属互连结构；

(5)利用光刻工艺和刻蚀工艺，去除栅二氧化硅层上方的多晶硅层和二氧化硅介质层，使栅二氧化硅层露出，形成探测器的SiO₂/Si衬底；

2)获得单层石墨烯；

3)将所述单层石墨烯转移到步骤1)的SiO₂/Si衬底上。

2.根据权利要求1所述的一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法，其特征在于，步骤3)中，单层石墨烯覆盖在SiO₂/Si衬底中的二氧化硅介质层的内侧壁、上表面以及栅二氧化硅层的上表面。

3.根据权利要求1所述的一种基于集成电路工艺的石墨烯红外探测器制备方法，其特征在于，所述栅二氧化硅层的厚度为2nm～10nm。