[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制备方法在审
申请号: | 201811030281.X | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880523A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 潘新叶 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;夏彬 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
本发明提供了显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,其中包括基板和阵列层,所述阵列层位于所述基板的一侧;阳极层,位于所述阵列层背离所述基板的一侧,所述阳极层包括多个阳极电极;发光层,位于所述阳极层背离所述阵列层的一侧;以及阴极层,位于所述发光层背离所述阳极层的一侧,所述阴极层包括多个阴极电极单元以及多个导电桥,所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应,且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。本发明通过改善显示面板中阴极层的均一性,提高显示亮度均一性,即降低显示面板的Mura问题,提高显示面板产品品质和良率,结构简单,应用方便。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,有源矩阵有机发光二极管)是电流驱动器件,当有驱动电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光。现有的AMOLED显示面板在显示时,Mura(显示亮度不均)类不良问题仍然无法很好地得到解决,不良总数高居不下,大量地影响了显示面板的良率。
显示亮度不均的种类有很多,也有多种原因。其中,由于均一性问题造成的显示亮度不均问题占比很高,如果可以改善,对显示面板的良率有较大提升。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,通过改善显示面板中阴极层的均一性,提高显示亮度均一性,提高显示面板良率。
根据本发明的一个方面,提供一种显示面板,包括:
基板和阵列层,所述阵列层位于所述基板的一侧;
阳极层,位于所述阵列层背离所述基板的一侧,所述阳极层包括多个阳极电极;
发光层,位于所述阳极层背离所述阵列层的一侧;以及
阴极层,位于所述发光层背离所述阳极层的一侧,所述阴极层包括多个阴极电极单元以及多个导电桥,所述阴极电极单元与所述阳极电极一一对应,且各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极单元之间。
可选地,所述阴极层包括多个彼此独立的阴极电极,各个所述阴极电极分别对应于一所述阴极电极单元,各个所述导电桥连接于两个相邻的阴极电极之间。
可选地,所述阴极层包括覆盖所述发光层的一阴极电极膜层,所述阴极电极膜层包括所述多个阴极电极单元,所述导电桥位于所述阴极膜层背离所述发光层的一侧。
可选地,所述导电桥采用镁银合金材料、钼材料、铝材料、钛材料和铜材料中的一种或其组合。
可选地,所述发光层包括多个与所述阳极电极一一对应的子像素,所述阴极电极在所述基板上的正投影覆盖所对应的阳极电极在所述基板上的正投影,且所述阳极电极在所述基板上的正投影覆盖所对应的子像素在所述基板上的正投影。
可选地,所述多个阴极电极单元为菱形排列,各个所述阴极电极单元分别与其左上方的阴极电极单元、右上方的阴极电极单元、左下方的阴极电极单元和右下方的阴极电极单元之间连接有一所述导电桥。
可选地,所述导电桥设置于所述显示面板的非开口区,且导电桥处的膜厚大于阴极电极单元处的膜厚。
可选地,所述导电桥的膜厚为100-20000埃米。
根据本发明另一方面,还提供一种显示装置,包括所述的显示面板。
根据本发明另一方面,还提供一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:
提供一基板和一阵列层,所述阵列层形成于所述基板的一侧;
于所述阵列层背离所述基板的一侧形成一阳极层,所述阳极层包括多个阳极电极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的