[发明专利]功率转换器装置有效

申请号：	201811030328.2	申请日：	2018-09-05
公开（公告）号：	CN109428500B	公开（公告）日：	2023-09-19
发明（设计）人：	R·菏泽;R·比特纳;N·布拉尼	申请（专利权）人：	赛米控电子股份有限公司
主分类号：	H02M7/00	分类号：	H02M7/00
代理公司：	北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413	代理人：	谢攀;刘继富
地址：	德国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	功率转换器装置
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【权利要求书】：

1.功率转换器装置，其具有功率转换器(2)，所述功率转换器(2)具有彼此电连接的功率半导体器件(T1，D1)，所述功率转换器(2)具有第一直流电压电位负载连接(DC-)和第二直流电压电位负载连接(DC+)，在功率转换器(2)操作期间在第一直流电压电位负载连接(DC-)和第二直流电压电位负载连接(DC+)之间存在电直流电压(U)，并且所述功率转换器(2)具有半导体部件(3)，半导体部件(3)具有半导体主体(4)、串联电连接的电阻器(R)、不导电并且布置在半导体主体(4)和电阻器(R)之间的第一绝缘层(5)、以及第一连接触点(A1)和第二连接触点(A2)，第一连接触点(A1)和第二连接触点(A2)通过串联电连接的电阻器(R)以导电方式彼此连接，其中第一连接触点(A1)以导电方式连接到第一直流电压电位负载连接(DC-)以及第二连接触点(A2)以导电方式连接到第二直流电压电位负载连接(DC+)。

2.根据权利要求1所述的功率转换器装置，其特征在于所述电阻器(R)由金属、金属合金、硅化物或半导体材料构成。

3.根据权利要求1所述的功率转换器装置，其特征在于所述电阻器(R)由掺杂多晶硅构成。

4.根据权利要求1所述的功率转换器装置，其特征在于所述电阻器(R)由n掺杂多晶硅构成。

5.根据前述权利要求之一所述的功率转换器装置，其特征在于第一绝缘层(5)由氧化硅或氮化硅或酰亚胺构成。

6.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率转换器装置，其特征在于所述第一绝缘层(5)的厚度(d1)为至少5μm。

7.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率转换器装置，其特征在于所述第一绝缘层(5)的厚度(d1)为至少8μm。

8.根据前述权利要求1-4中任一项所述的功率转换器装置，其特征在于所述第一绝缘层(5)的厚度(d1)为至少10μm。

9.根据前述权利要求1-4之一所述的功率转换器装置，其特征在电阻器(R)的数量为至少10。

10.根据前述权利要求1-4之一所述的功率转换器装置，其特征在电阻器(R)的数量为至少100。

11.根据前述权利要求1-4之一所述的功率转换器装置，其特征在电阻器(R)的数量为至少300。

12.根据前述权利要求1-4之一所述的功率转换器装置，其特征在于所有电阻器(R)具有相同的电阻值。

13.根据前述权利要求1-4之一所述的功率转换器装置，其特征在于通过串联电连接的电阻器(R)形成的串联电路(13)布置分布在绝缘层(5)的背离半导体主体(4)的主要区域(5a)的至少40％。