[发明专利]太阳能电池的制备方法及其制备装置在审
申请号: | 201811031887.5 | 申请日: | 2018-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880460A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 白安琪;王雪戈 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 及其 装置 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
S100,提供一柔性衬底(10);
S200,在所述柔性衬底(10)表面制备背电极层(20);
S300,在所述背电极层(20)远离所述柔性衬底(10)的表面制备吸收层(30);
S400,在所述吸收层(30)远离所述背电极层(20)的表面制备缓冲层(40);
S500,在所述缓冲层(40)远离所述吸收层(30)的表面制备高阻层(50);
S600,在所述高阻层(50)远离所述缓冲层(40)的表面制备窗口层(60),所述窗口层(60)包括氧化铟锡层(61)和设置于所述氧化铟锡层(61)远离所述高阻层(50)表面的掺铝氧化锌层(62);
S700,利用湿法刻蚀将所述掺铝氧化锌层(62)刻蚀形成间隔设置的陷光结构(63)。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述S700中,所述湿法刻蚀的刻蚀液的pH值小于7。
3.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述S700中,所述湿法刻蚀的温度为20℃-30℃。
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在所述S700中,所述湿法刻蚀的刻蚀时间为1min-30min。
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述柔性衬底(10)为不锈钢、铝合金、钼、钛金属卷材。
6.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述S200包括:
S210,利用超声清洗对所述柔性衬底(10)进行清洗;
S220,在完成清洗的所述柔性衬底(10)表面制备背电极层(20)。
7.一种陷光结构的制备装置(70),其特征在于,包括:
输送结构(710),用于平铺输送放置于所述输送结构(710)表面的太阳能电池(100);
储液池(720),所述储液池(720)内储存有刻蚀液,以对所述输送结构(710)所输送的太阳能电池(100)的表面进行湿法刻蚀;
循环结构(730),设置于所述储液池(720)内,用以保持所述储液池(720)内的溶液温度的均匀性。
8.如权利要求7所述的陷光结构的制备装置,其特征在于,所述储液池(720)内设置有控温装置(721)。
9.如权利要求7所述的陷光结构的制备装置,其特征在于,所述输送结构(710)包括:
卷筒(711),设置于所述太阳能电池(100)输送路线的首端和末端,用于将所述太阳能电池(100)缠绕成卷;
导辊(712),设置于所述太阳能电池(100)输送路线,用以引导所述太阳能电池(100)的输送方向。
10.如权利要求9所述的陷光结构的制备装置,其特征在于,还包括滚轴(713),设置于所述导辊(712)的两侧,所述滚轴(713)用以保持所述太阳能电池(100)的平展和压力均衡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造