[发明专利]具有最小化膨胀和撕裂的铜箔，包括其的电极，包括其的二次电池，及其制造方法

说明书

本发明公开了一种铜箔，其包括铜层和设置在铜层上的防腐蚀层，其中铜箔的峰与算术平均粗糙度比值(PAR)为0.8至12.5，抗拉强度为29至58kgf/mm²，重量偏差为3％或更小，其中PAR根据以下等式1计算：[等式1]PAR＝Rp/Ra其中Rp是最大轮廓峰高度，Ra是算术平均粗糙度。

技术领域

本发明涉及具有最小化的膨胀(bagginess)和撕裂(tear)的铜箔，包括该铜箔的电极，包括该电极的二次电池，及其制造方法。

背景技术

铜箔用于制造各种产品，如用于二次电池的阳极(anode)和柔性印刷电路板(FPCB)。

其中，将通过电镀制造的铜箔称为“电解铜箔”。这种电解铜箔通常通过卷对卷(roll-to-roll，RTR)工艺制造，并且用于经由RTR工艺制造用于二次电池的阳极和柔性印刷电路板(FPCB)。已知RTR工艺适合于大规模生产，因为它能够连续生产。然而，当铜箔在RTR工艺过程中被折叠、撕裂或遇到膨胀时，RTR设备的运行应该停止，直到这些问题得到解决，然后才应再次运行设备，因而导致生产效率降低。

当在使用铜箔制造二次电池的过程中在铜箔中发生膨胀或撕裂时，难以稳定地制造产品。因此，在制造二次电池的过程中在铜箔中发生的膨胀或撕裂导致二次电池的制造产率降低和产品的制造成本增加。

在制造二次电池的过程中发生膨胀和撕裂缺陷的原因中，作为除去源自于铜箔的原因的方法，有一种方法是将铜箔的重量偏差控制在低水平。然而，仅控制铜箔的重量偏差在完全解决二次电池制造期间发生的膨胀和撕裂问题方面具有局限性。特别地，近来，为了增加二次电池的容量，越来越多地使用超薄铜箔(例如厚度为8μm或更小的铜箔)作为阳极集电器(current collector)。在这种情况下，尽管精确地控制了铜箔的重量偏差，但是在制造二次电池的过程中还是间歇地发生膨胀和撕裂缺陷。因此，需要在制造二次电池的过程中防止或抑制铜箔的膨胀或撕裂。

发明内容

因此，为了解决上述问题做出了本发明，并且本发明的一个目的是提供一种铜箔，包括该铜箔的电极，包括该电极的二次电池，及其制造方法。

本发明的另一个目的是提供一种具有最小化的膨胀或撕裂的铜箔。特别地，本发明的另一个目的是提供一种铜箔，其尽管具有较小的厚度，但能够防止在制造二次电池的过程中发生膨胀或撕裂，并因此提供优异的卷对卷(RTR)可加工性。

本发明的另一个目的是提供一种包括该铜箔的用于二次电池的电极以及一种包括该用于二次电池的电极的二次电池。

本发明的另一个目的是提供一种包括该铜箔的柔性铜箔层压膜。

本发明的另一个目的是提供一种制造铜箔的方法，该方法能够防止在制造过程中发生膨胀或撕裂。

除了上面提到的本发明的方面之外，下面将描述本发明的其他特征和优点，并且本领域技术人员根据该描述将清楚地理解本发明的其他特征和优点。

根据本发明，可以通过提供一种铜箔来实现上述和其他目的，该铜箔包括铜层和设置在铜层上的防腐蚀层，其中铜箔的峰与算术平均粗糙度比值(peak-to-arithmeticmean roughness，PAR)为0.8至12.5，抗拉强度为29至58kgf/mm²，重量偏差为3％或更小，其中PAR根据以下等式1计算：

[等式1]

PAR＝Rp/Ra

其中Rp是最大轮廓峰高度，Ra是算术平均粗糙度。

铜箔可以具有(220)面，并且(220)面的织构系数(texture coefficient)[TC(220)]可以为0.49至1.28。

防腐蚀层可以包括铬(Cr)、硅烷化合物或氮化合物中的至少一种。