[发明专利]一种微流道散热器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201811035191.X 申请日: 2018-09-06
公开(公告)号: CN109411427B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 卢茜;张剑;向伟玮;王文博;李阳阳;蒋苗苗 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/473
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 钱成岑
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 微流道 散热器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微流道散热器的制作方法,其特征在于,在每个微流道散热器的四周设置通槽,对微流道散热器表面进行金属化,利用激光分片工艺于通槽处切割,分离得单个微流道散热器;

包括如下步骤:

1)取硅片A和硅片B,并于任一硅片表面设置微流道和分流网络;

2)永久键合硅片A和硅片B,得内埋微流道的硅片C;

3)于硅片C上各微流道散热器四周设置通槽;

4)于硅片C上下表面设置种子层;

5)于硅片C表面设置金属层;

6)于硅片C上各微流道散热器下表面设置进液口和出液口;

7)利用激光分片工艺于通槽处切割,即得单个微流道散热器。

2.根据权利要求1所述的一种微流道散热器的制作方法,其特征在于,所述通槽横截面宽度为40~200μm,所述通槽横截面长度至少为微流道散热器横截面边长的1/2。

3.根据权利要求1所述的一种微流道散热器的制作方法,其特征在于,步骤2)中永久键合硅片A和硅片B的方法为:分别于硅片A和硅片B的键合面设置一层二氧化硅,并控制二氧化硅层的表面粗糙度在1nm以下,然后利用晶元键合工艺键合硅片A和硅片B。

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