[发明专利]一种基于P3HT的颗粒薄膜磁电阻材料及制备方法

权利要求书

1.一种新型的Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料，其特征在于在有机半导体P3HT薄膜基础上，通过磁控溅射的方法将Co纳米颗粒嵌入到有机层P3HT中，得到一种颗粒薄膜材料，该颗粒薄膜在室温下具有明显的磁电阻效应。

2.如权利要求1所述的Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料的制备方法，其特征在于制备过程的具体步骤如下：

1)将有机半导体P3HT溶于邻二氯苯有机溶剂中，浓度为5-20mg/mL，在常温下避光搅拌充分溶解均匀；

2)将步骤1)的混合溶液滴在清洁的玻璃衬底上，打开旋涂仪进行旋涂，旋涂仪转速为1000-3000rpm，旋涂时间为30-90s；

3)将步骤2)的得到的覆盖有P3HT的玻璃片放入真空干燥箱，在110-130℃的温度下真空退火5-10分钟，得到P3HT薄膜；

4)将步骤3)得到的P3HT薄膜作为衬底安装在磁控溅射系统的基片转台上，抽真空，当真空室压强低于4×10^-4Pa后开始沉积Co薄膜，得到最终的Co/P3HT磁电阻器件；

5)步骤4)所述的磁控溅射过程中，靶材选用纯度大于或等于99％的Co靶，衬底温度保持常温，衬底自转；

6)步骤4)所述的磁控溅射过程中，应向真空室通入高纯惰性气体，真空室的惰性气体压强为0.5Pa，惰性气体流量为20sccm，直流溅射功率为40-60W，溅射时间为1-5分钟。

3.如权利要求2所述的制备Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料的方法，其特征在于所述的P3HT溶液浓度优选10mg/mL。

4.如权利要求2所述的制备Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料的方法，其特征在于所述的旋涂仪转速优选2000rpm，旋涂时间优选60s。

5.如权利要求2所述的制备Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料的方法，其特征在于所述的靶材优选纯度大于或等于99.99％的Co靶。

6.如权利要求2所述的制备Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料的方法，其特征在于所述的惰性气体优选高纯Ar气。

7.如权利要求2所述的制备Co/P3HT颗粒薄膜磁电阻材料的方法，其特征在于所述的直流溅射功率优选45W，溅射时间优选2分钟。