[发明专利]一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法

权利要求书

1.一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，按照如下步骤进行：

1)沉积工序准备；

2)使用含F气体对石英衬底管进行刻蚀清洁；

3)在石英衬底管内壁沉积出若干层过渡包层玻璃；

4)在过渡包层玻璃外再沉积出若干层光学芯层玻璃；

5)在光学芯层玻璃外沉积出SiO₂玻璃阻挡层，制成空心预制棒；

6)将空心预制棒转移至已完成熔缩预备条件的熔缩机床上，并对空心预制棒中心进行升温、大流量高纯O₂吹扫净化；

7)对空心预制棒进行缩棒工艺，并在工艺进行时通入含F气体；

8)在高温状态下通入含F气体，对空心预制棒进行1～2趟刻蚀掉玻璃阻挡层；

9)在高温状态下对空心预制棒中心部位通入高纯O₂进行吹扫；

10)将空心预制棒烧实成实心预制棒；

11)对实心预制棒进行退火、拉棒操作；

所述步骤5)中的SiO₂玻璃阻挡层的厚度为0.008mm～0.03mm；

步骤5)中通过通入SiCl₄、O₂、沉积出SiO₂玻璃阻挡层，通入物中SiCl₄的摩尔流量为400～1000sccm，O₂的摩尔流量为SiCl₄摩尔流量的3～5倍；

步骤7)中的缩棒工艺将空心预制棒内孔孔径塌缩至1.5～2.5mm，并同时通入含F气体与所述SiO₂玻璃阻挡层发生反应，在SiO₂玻璃阻挡层外生成一层含F玻璃；

步骤7)中所述含F气体包括C₂F₆、CF₄、SF₆中的一种或多种，通入流量为0.3sccm～2sccm；

步骤8)中的含F气体包括C₂F₆、CF₄、SF₆中的一种或多种，通入流量为60sccm～100sccm；所述熔缩炉的炉温保持在1950℃～2100℃之间，移动速度在80～150mm/min之间。

2.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，所述步骤3)中通过通入SiCl₄、O₂及含F气体沉积出过渡包层玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，所述步骤4)中通过通入SiCl₄、GeCl₄、O₂及含F气体沉积出光学芯层玻璃。

4.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，所述步骤6)中的高纯O₂的质量流量为200sccm～1000sccm，并设定空心预制棒尾端压力与环境压力的压差为-40pa～40pa，控制熔缩炉旋转速度为20～40rpm，移动速度为200～1200mm/min，熔缩炉逐步升温至2000～2150℃。

5.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，所述步骤9)中的高纯O₂的质量流量为100～1000sccm，控制熔缩炉的移动速度为150～400mm/min，并逐步将炉温升至2150～2250℃。

6.根据权利要求1所述的一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法，其特征在于，所述步骤10)中，将熔缩炉的炉温保持在2150～2250℃，熔缩炉的移动速度为10～30mm/min。