[发明专利]一种负氢离子的生成装置及方法有效
申请号: | 201811036349.5 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109195298B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 刘巍;赵永涛 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 张海青 |
地址: | 710000 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氢离子 生成 装置 方法 | ||
1.一种负氢离子的生成装置,其特征在于,所述负氢离子的生成装置包括:一个扩散腔室,所述扩散腔室下部设置有出气口,所述扩散腔室上部设置有多个放电腔室,每个所述放电腔室上设置有进气口,每个所述放电腔室的外部缠绕有射频线圈,所述射频线圈的数量与所述放电腔室的数量相同,第i个所述射频线圈缠绕在第i个所述放电腔室的外部,i∈{2,3,...,n},n为所述射频线圈和所述放电腔室的数量,n>1;
所述负氢离子的生成装置还包括射频信号单元和脉冲控制信号单元,所述脉冲控制信号单元用于调节所述射频信号单元中各射频信号的相位;
利用脉冲信号来调节射频信号生成脉冲调制射频信号,将所述脉冲调制射频信号输入到所述射频线圈中,所述脉冲调制射频信号满足条件:
式中,n为所述射频线圈和所述放电腔室的数量,n>1;D为所述脉冲调制射频信号中脉冲的占空比;t1为第i个所述脉冲调制射频信号的起始时刻,i∈{2,3,...,n};t2为第i个所述脉冲调制射频信号的结束时刻,T为所述脉冲调制射频信号的周期长度;第i个所述射频线圈中输入第i个所述脉冲调制射频信号;通过所述放电腔室上的所述进气口分别向每个所述放电腔室通入氢气;所述脉冲调制射频信号产生的射频功率与所述氢气进行辉光放电反应,在所述扩散腔室中产生负氢离子;所述负氢离子通过所述扩散腔室的所述出气口引出;
脉冲调制射频信号利用锁相技术进行相位的固定,构成多源异相脉冲调制射频信号。
2.根据权利要求1所述的负氢离子的生成装置,其特征在于,所述放电腔室为石英或者陶瓷材质。
3.根据权利要求1所述的负氢离子的生成装置,其特征在于,所述扩散腔室为不锈钢材质或铝材质。
4.根据权利要求1所述的负氢离子的生成装置,其特征在于,所述放电腔室与所述扩散腔室通过高真空密封连接。
5.根据权利要求1所述的负氢离子的生成装置,其特征在于,所述出气口对称分布在所述扩散腔室底部。
6.根据权利要求1所述的负氢离子的生成装置,其特征在于,所述进气口与流量计连接。
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