[发明专利]一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201811037336.X | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109148365B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 贺芳;尹东升;顾仁权;李东升;徐胜;吴慧利;李士佩;何伟;黎午升;姚琪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/027 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置,该制作方法包括:在衬底基板上的图像获取区域的透明区域内形成第一光刻胶图案;在衬底基板上形成阳极层,阳极层覆盖第一光刻胶图案;利用形成在阳极层上的第二光刻胶层图案的遮挡,在阳极层中形成位于图像获取区域的非透明显示区域的阳极以及形成位于透明区域的遮光部件;采用剥离工艺同时去除第一光刻胶图案、遮光部件和第二光刻胶图案。该方法可以将残留在图像获取区域的透明区域内的遮光部件去除,从而只在图像获取区域的非透明显示区域形成阳极,从而可以提高透明区域的透过率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置。
背景技术
目前,全面屏是手机业界对于超高屏占比的手机设计,具有比较好的视觉体验及很好的市场需求、应用前景,越来越深得消费者的欢迎。但是全面屏手机面临着种种设计上以及制造工艺上的难点,比如听筒、前置摄像头的位置。目前采用将听筒、摄像头设置在显示区域来提高屏占比,使得视觉上屏幕占比接近100%,但是现有技术中摄像头对应显示面板的位置的透过率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置,用以解决现有技术中光学传感器对应显示面板的位置的透过率较低的问题。
因此,本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法,包括:
在衬底基板上的图像获取区域的透明区域内形成第一光刻胶图案;
在所述衬底基板上形成阳极层,所述阳极层覆盖所述第一光刻胶图案;
利用形成在所述阳极层上的第二光刻胶层图案的遮挡,在所述阳极层中形成位于所述图像获取区域的非透明显示区域的阳极以及形成位于所述透明区域的遮光部件;
采用剥离工艺同时去除所述第一光刻胶图案、所述遮光部件和所述第二光刻胶图案。
进一步地,在本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法中,在衬底基板上的透明区域内形成第一光刻胶图案之前,还包括:
在所述衬底基板上除了所述透明区域的区域内形成平坦层。
进一步地,在本发明实施例提供的上述显示面板的制作方法中,还包括:
在所述衬底基板上形成缓冲层、栅极绝缘层和层间介质层;其中形成在所述透明区域的所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间介质层均透明。
相应地,本发明实施例还提供了一种采用上述任一项制作方法制得的显示面板,包括衬底基板,所述衬底基板具有图像获取区域,所述图像获取区域包括非透明显示区域和透明区域,其中仅在所述非透明显示区域包括阳极。
进一步地,在本发明实施例提供的上述显示面板中,还包括位于所述衬底基板上的缓冲层、栅极绝缘层和层间介质层,其中位于所述衬底基板上的所述透明区域内的所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述层间介质层均透明。
进一步地,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述非透明显示区域包括与所述阳极电连接的控制电路,以及位于所述阳极与所述控制电路之间的平坦层,其中仅在所述非透明显示区域包括所述平坦层。
进一步地,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述衬底基板还包括包围所述图像获取区域的正常显示区域,所述正常显示区域和所述图像获取区域均包括成阵列排布的多个亚像素单元,其中所述图像获取区域的各所述亚像素单元的排布密度小于所述正常显示区域的各所述亚像素单元的排布密度。
进一步地,在本发明实施例提供的上述显示面板中,所述图像获取区域内单位面积排布的亚像素单元的个数与所述正常显示区域内单位面积排布的亚像素单元的个数比值为1:3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造