[发明专利]一种气体检测装置及其制备方法、气体检测方法

权利要求书

1.一种气体检测装置，其特征在于，包括衬底，所述衬底上包括检测区，所述检测区设有多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极，以及第一有源层，所述第一有源层由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层的传输特性，所述多个第一薄膜晶体管的第一有源层分别对应不同的响应气体；

所述气体检测装置还包括：

与第一栅极连接的控制部件，用于向第一栅极提供电信号；

与第一漏极连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流；

输入部件，通过所述输入部件能够选择待检测气体种类，并且所述输入部件能够将用户的选择信号传递至控制部件，所述控制部件向不同的第一薄膜晶体管的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管打开、其他第一薄膜晶体管关闭，

所述衬底上还包括显示区，所述显示区设有显示部件，用于根据电流检测部件的检测结果显示待检测气体中响应气体的信息，所述显示部件包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极，以及第二有源层，所述第一薄膜晶体管为底栅型，所述第二薄膜晶体管为顶栅型，

所述第一有源层的敏感薄膜由多个晶粒构成，所述晶粒的表面和所述晶粒之间的空隙为吸附位，所述吸附位是不含氧的吸附位，或者含氧吸附位。

2.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述共轭化合物包括酞菁化合物。

3.根据权利要求1所述的气体检测装置，其特征在于，所述第二栅极与第一源极、第一漏极同层设置，所述第二源极、第二漏极与第一栅极同层设置。

4.一种气体检测装置的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

在衬底上的检测区形成多个第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极，以及第一有源层，所述第一有源层由共轭化合物构成，用于与待检测气体接触，且所述共轭化合物与对应的响应气体接触后能改变第一有源层的传输特性，多个第一薄膜晶体管的第一有源层分别对应不同的响应气体；

形成与第一栅极连接的控制部件，用于向第一栅极提供电信号；

形成与第一漏极连接的电流检测部件，用于检测漏极的电流；

形成输入部件，通过所述输入部件能够选择带检测气体种类，并且所述输入部件能够将用户的选择信号传递至控制部件，所述控制部件向不同的第一薄膜晶体管的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管打开、其他第一薄膜晶体管关闭，

所述方法还包括在衬底上的显示区形成第二薄膜晶体管的步骤；

所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极，以及第二有源层，所述第一薄膜晶体管为底栅型，所述第二薄膜晶体管为顶栅型；

所述第一有源层的敏感薄膜由多个晶粒构成，所述晶粒表面和所述晶粒之间的空隙为吸附位，所述吸附位是不含氧的吸附位，或者含氧吸附位。

5.一种气体检测方法，其特征在于，采用权利要求1-3任一项所述的气体检测装置进行检测，所述检测方法包括以下检测步骤：

通过所述输入部件选择待检测气体种类；

通过所述输入部件能够将用户的选择信号传递至控制部件；

通过控制部件向第一栅极提供电信号，其中，所述控制部件向不同的第一薄膜晶体管的第一栅极输入不同的控制信号，使得与响应气体对应的第一薄膜晶体管打开、其他第一薄膜晶体管关闭；

第一有源层与待检测气体接触后发生反应，并改变第一有源层的传输特性，所述第一有源层的敏感薄膜由多个晶粒构成，所述晶粒的表面和所述晶粒之间的空隙为吸附位，所述吸附位是不含氧的吸附位，或者含氧吸附位；

电流检测部件检测漏极的电流。