[发明专利]光电检测设备及其制造方法

权利要求书

1.一种光电检测设备，包括：

薄膜晶体管阵列，其位于具有特定透光率的基板的第一表面上；和

光电二极管结构，其位于所述第一表面和所述薄膜晶体管阵列之间，所述光电二极管结构被实现为接收和处理通过所述基板的第二表面的电磁辐射。

2.根据权利要求1所述的光电检测设备，还包括：

在所述基板的所述第二表面上的抗散射层。

3.根据权利要求1所述的光电检测设备，还包括：

一个或更多个部件，所述一个或更多个部件设置在所述光电二极管结构的整个表面上且在所述光电二极管结构和所述基板之间，

其中，在所述光电二极管结构与所述基板之间仅设置所述一个或更多个部件。

4.根据权利要求3所述的光电检测设备，其中，所述一个或更多个部件包括第一电极。

5.根据权利要求4所述的光电检测设备，其中，所述第一电极由具有透射性的构件配置。

6.根据权利要求1所述的光电检测设备，还包括：

位于所述基板的所述第一表面上的第一电极；以及

位于所述基板与所述第一电极之间的偏置线。

7.根据权利要求6所述的光电检测设备，其中，所述第一电极由具有透射性的构件配置。

8.一种光反应元件，包括：

开关部件和检测器，其中在基板上形成所述检测器之后在所述检测器上形成所述开关部件。

9.一种X射线检测器，包括：

基板；

在所述基板的第一表面上的薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管与所述基板之间的光电二极管；以及

在所述基板的第二表面上的磷光体。

10.一种用于光电检测器的基板装置的制造方法，所述方法包括：

在所述基板装置的基板的第一表面上形成光电二极管的第一过程；以及

在所述第一过程之后的在所述基板的所述第一表面上形成薄膜晶体管的第二过程。