[发明专利]高电子移动率晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201811037757.2 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110880532B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周钰杰;林信志;洪章响 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;周晓飞 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 移动 晶体管 及其 形成 方法 | ||
1.一种高电子移动率晶体管，包括：
一缓冲层，位于一基板上；
一阻障层，位于该缓冲层上，其中一通道区位于该缓冲层中，邻近该缓冲层与该阻障层的一界面；
一能带调整层，位于该阻障层上，由上而下包括一第一能带调整层、一第二能带调整层及一第三能带调整层；
一第一钝化层，位于该阻障层上，邻接该能带调整层；且该能带调整层完全嵌入该第一钝化层中；
一栅极电极，位于该能带调整层上，并与该能带调整层电性连接；
一源极/漏极电极，分别位于该栅极电极的两相对侧，穿过该第一钝化层，设于该阻障层上；
一第二钝化层，位于该能带调整层的顶表面上；
其中该第一能带调整层包括N型掺杂三五族半导体或N型掺杂二六族半导体，该第二能带调整层包括未掺杂三五族半导体或未掺杂二六族半导体，该第三能带调整层包括P型掺杂三五族半导体或P型掺杂二六族半导体。
2.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第一能带调整层与该第二能带调整层直接接触，且该第二能带调整层与该第三能带调整层直接接触。
3.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第二能带调整层包括未掺杂的GaN、AlGaN、AlN、GaAs、AlGaAs、InP、InAlAs、InGaAs、CdS、CdTe或ZnS。
4.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第二能带调整层厚度介于1nm至1000nm。
5.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第二能带调整层的厚度为该能带调整层的厚度的1％至99％。
6.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第一能带调整层包括N型掺杂的GaN、AlGaN、AlN、GaAs、AlGaAs、InP、InAlAs、InGaAs、CdS、CdTe或ZnS。
7.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第一能带调整层以Si、C、Ge、Sn、Pb、Cl、Br或I进行掺杂。
8.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第一能带调整层的N型掺杂浓度介于1E15/cm3至1E25/cm3之间。
9.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第一能带调整层的厚度为该能带调整层的厚度的1％至99％。
10.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第三能带调整层包括P型掺杂的GaN、AlGaN、AlN、GaAs、AlGaAs、InP、InAlAs、InGaAs、CdS、CdTe或ZnS。
11.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第三能带调整层以Mg、Zn、Ca、Be、Sr、Ba、Ra、C、Ag、Au、Li或Na进行掺杂。
12.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第三能带调整层的P型掺杂浓度介于1E15/cm3至1E25/cm3之间。
13.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该第三能带调整层的厚度为该能带调整层的厚度的1％至99％。
14.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该阻障层包括AlxGa1-xN，其中0x1。
15.如权利要求1所述的高电子移动率晶体管，其中该缓冲层包括GaN。
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