[发明专利]半导体结构制造方法在审
| 申请号： | 201811038479.2 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109216442A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 范谦;倪贤锋;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 势垒层 衬底 制造 欧姆接触电阻 快速热退火 欧姆接触 缓冲层 介质层 有效地 申请 离子 | ||
1.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；
在所述势垒层上形成保护层；
对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入；
进行周期性快速热退火。
2.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述保护层厚度为10nm-100nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入具体包括：
在所述保护层上形成掩膜层，并定义出欧姆接触区；
去除所述欧姆接触区的掩膜层；
对欧姆接触区域进行离子注入，使离子注入到所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域内。
4.根据权利要求3所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述掩膜层可为金属层或光刻胶层，所述的保护层为介质层。
5.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，一个快速热退火周期包括快速升温期、温度保持期和快速降温期。
6.根据权利要求5所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述温度保持期的时间为1s-30s，温度保持期的温度大于1300℃。
7.根据权利要求1所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述离子为硅、氧、锗元素中的一种或者多种。
8.一种半导体结构制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上依次形成缓冲层和势垒层；
对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入；在所述势垒层上形成保护层；
进行周期性快速热退火。
9.根据权利要求8所述的半导体结构制造方法，其特征在于，对所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域进行离子注入具体包括：
在所述势垒层上形成掩膜层，并定义出欧姆接触区；
去除所述欧姆接触区的掩膜层；
对欧姆接触区域进行离子注入，使离子注入到所述势垒层上需要形成欧姆接触的区域内。
去除剩余的掩膜层。
10.根据权利要求8所述的半导体结构制造方法，其特征在于，所述保护层为金属层或者介质层或者为金属层或者介质层的堆叠。所述的掩模层为光刻胶、金属或者介质层。
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