[发明专利]具有数据可靠性机制的存储系统及其操作方法

说明书

一种存储系统，包括：控制处理器单元，配置成：对原始数据页的读取进行初始化，所述原始数据页包括可校正的错误；通过将所述可校正的错误校正为校正数据并将原始数据与所述校正数据进行比较，计算原始误码率(RBER)(EQ1)，以及基于RBER(EQ1)计算校正模型特性；和非易失性存储阵列，所述非易失性存储阵列耦合至所述控制处理器单元，并且被配置成将经处理的数据页存储在具有所述原始数据页的物理块中；以及其中，所述控制处理器单元进一步被配置成将校正模型特性应用到位于所述物理块中的所述原始数据页。

技术领域

本发明的实施例总地涉及存储系统，更具体地，涉及用于数据可靠性的系统。

背景技术

智能设备在我们日常生活中的激增推动了非易失性存储器(如NAND闪存)的发展，以支持这些设备。为了降低每十亿字节的NAND闪存的成本，通过在同一硅片区域中封装更多数据，通过缩小闪存单元的大小，并在每个闪存单元中存储更多位，使存储设备变得更加密集，但这种缩小单元尺寸的方法以读回可靠性为代价。必须找到一种机制来提供所需的数据可靠性，同时使NAND闪存页的重复读取减少到最少。

因此，仍然需要具有数据可靠性机制的存储系统来提供改进的数据可靠性和恢复。鉴于商业竞争压力的不断增加，以及消费者期望的不断增长和市场中有意义的产品差异化的机会的减少，找到这些问题的答案越来越重要。此外，降低成本、提高效率和性能以及满足竞争压力的需求使得为这些问题寻找答案的关键必要性变得更加紧迫。

对这些问题的解决方案已经做了长期寻求，但是先前的发展没有教导或暗示任何解决方案，因此，长期以来本领域技术人员一直没有解决这些问题。

发明内容

本发明实施例提供一种装置，包括控制处理器单元，被配置成：对原始数据页的读取进行初始化，所述原始数据页具有可校正的错误；读/写通道，耦合到控制处理器单元，被配置成：通过将可校正的错误校正为校正数据并将原始数据与校正数据进行比较来计算原始误码率(RBER)，并基于RBER计算校正模型特性；以及非易失性存储阵列，所述非易失性存储阵列耦合到读/写通道，被配置成将经处理的数据页存储在具有原始数据页的物理块中；并且其中读/写通道进一步被配置成将校正模型特性应用于物理块中的原始数据页。

本发明实施例提供了一种方法，包括：对原始数据页的读取进行初始化，所述原始数据页包括可校正的错误；通过将原始数据中的可校正的错误校正为校正数据并将原始数据与校正数据进行比较来计算原始误码率(RBER)；基于RBER计算校正模型特性；并将校正模型特性应用于物理块中的原始数据页。

本发明的实施例提供了一种非暂时性计算机可读介质，包括：对原始数据页的读取进行初始化，所述原始数据页包括可校正的错误；通过将原始数据中的可校正的错误校正为校正数据并将原始数据与校正数据进行比较来计算原始误码率(RBER)；基于RBER计算校正模型特性；并将校正模型特性应用于物理块中的原始数据页。

除了上述那些之外或代替那些，本发明的某些实施例具有其他步骤或元件。通过参考附图阅读下面的详细描述，这些步骤或元件对于本领域技术人员将变得显而易见。

附图说明

图1是在本发明的一个实施例中的具有数据可靠性机制的存储系统。

图2描述了对多级单元NAND闪存页进行示例性访问的体系构架视图。

图3是在一个实施例中用于NAND闪存单元单次访问的统计概率表。

图4是在一个实施例中用于NAND闪存单元多次访问的统计概率表。

图5是在本发明的一个实施例中具有数据可靠性机制的存储系统的可操作流程图。

图6是在本发明的一个实施例中对存储系统进行操作的方法的流程图。

具体实施方式