[发明专利]电解电容器以及制造电解电容器的方法有效
申请号: | 201811038832.7 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN110415978B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 菅原康久;石岛正弥;荒木健二 | 申请(专利权)人: | 株式会社东金 |
主分类号: | H01G9/022 | 分类号: | H01G9/022;H01G13/00 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 王春伟;刘继富 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电解电容器 以及 制造 方法 | ||
1.电解电容器,其包括:
阀金属;
形成在所述阀金属的表面上的介电氧化物膜层;
形成在所述介电氧化物膜层上的表面处理剂层;和
形成在所述表面处理剂层上的电解质层,其中
所述电解质层包含导电聚合物层和离子液体,
所述导电聚合物层形成为使得所述导电聚合物层与所述表面处理剂层接触,
其中所述表面处理剂层在所述导电聚合物层一侧的分子链中包含至少一个极性基团,和
所述导电聚合物层是用离子液体浸渍的,表面处理剂层和离子液体通过分子间作用力或静电力彼此吸引,在所述导电聚合物层和所述表面处理剂层之间的界面中所存在的至少一些空隙中填充有所述离子液体。
2.根据权利要求1所述的电解电容器,其中所述表面处理剂层由选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和膦酸衍生物中的至少一种物质构成。
3.根据权利要求1所述的电解电容器,其还包括形成在所述电解质层上的阴极层,其中
在所述电解质层与所述阴极层接触的界面中的所述离子液体被除去。
4.根据权利要求1所述的电解电容器,其中
所述电解质层包括:
包括所述导电聚合物层和所述离子液体的第一导电聚合物层;和
形成在所述第一导电聚合物层上的第二导电聚合物层,和
在所述第一导电聚合物层与所述第二导电聚合物层接触的界面中的所述离子液体被除去。
5.根据权利要求1所述的电解电容器,其中所述离子液体是疏水的。
6.一种制造电解电容器的方法,其包括:
在阀金属的表面上形成介电氧化物膜层;
在所述介电氧化物膜层上形成表面处理剂层;
在所述表面处理剂层上形成导电聚合物层;和
用离子液体浸渍所述导电聚合物层,
其中,当在所述表面处理剂层上形成所述导电聚合物层时,在所述表面处理剂层和所述导电聚合物层之间的界面上形成空隙,
其中所述表面处理剂层在所述电解质层一侧的分子链中包含至少一个极性基团,和
当用所述离子液体浸渍所述导电聚合物层时,表面处理剂层和离子液体通过分子间作用力或静电力彼此吸引,存在于所述导电聚合物层和所述表面处理剂层之间的界面中的至少一些所述空隙被所述离子液体填充。
7.根据权利要求6所述的制造电解电容器的方法,其中所述表面处理剂层由选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和膦酸衍生物中的至少一种物质构成。
8.根据权利要求6所述的制造电解电容器的方法,其还包括:
在用所述离子液体浸渍所述导电聚合物层后,洗去残留在所述导电聚合物层上的所述离子液体;和
在洗去所述离子液体后,在所述导电聚合物层上形成阴极层。
9.根据权利要求6所述的制造电解电容器的方法,其还包括:
在用所述离子液体浸渍所述导电聚合物层后,洗去残留在所述导电聚合物层上的所述离子液体;
在洗去所述离子液体后,在第一导电聚合物层上形成第二导电聚合物层,所述第一导电聚合物层是所述导电聚合物层;和
在所述第二导电聚合物层上形成阴极层。
10.根据权利要求6所述的制造电解电容器的方法,其中所述离子液体是疏水的。
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