[发明专利]有源矩阵基板和多路分配电路有效
申请号: | 201811038918.X | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109473071B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 山本薰;织田明博;宫本忠芳 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 分配 电路 | ||
提供具备包含能具有高的驱动力的TFT的多路分配电路的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备包含DMX电路用TFT的多路分配电路,各DMX电路用TFT具有由多个控制信号干线ASW、BSW中的1个控制信号干线供应控制信号的前栅电极(FG)和被供应与控制信号不同的背栅信号的背栅电极(BG),与一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T1a、T1b)的背栅电极连接到供应第1背栅信号的第1背栅信号干线(BGL(1)),与另一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T2a、T2b)的背栅电极连接到供应与第1背栅信号不同的第2背栅信号的第2背栅信号干线(BGL(2))。
技术领域
本发明涉及具备多路分配电路(Demultiplexer Circuit)的有源矩阵基板和多路分配电路。
背景技术
液晶显示装置等所使用的有源矩阵基板具有:具有多个像素的显示区域;以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域中按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor;以下,称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件,以往以来广泛使用将非晶硅膜作为活性层的TFT(以下,称为“非晶硅TFT”)、将多晶硅膜作为活性层的TFT(以下,称为“多晶硅TFT”)。
作为TFT的活性层的材料,已提出使用氧化物半导体来代替非晶硅、多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此,氧化物半导体TFT能比非晶硅TFT高速地动作。
有时在有源矩阵基板的非显示区域,单片(一体)地形成驱动电路等周边电路。通过单片地形成驱动电路,实现由非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。例如,在非显示区域中,有时单片地形成栅极驱动器电路,以COG(Chip on Glass:玻璃上芯片)方式安装源极驱动器电路。
在智能手机等窄边框化要求高的设备中,已提出不仅单片地形成栅极驱动器而且还单片地形成源极切换(Source Shared Driving:SSD)电路等多路分配电路(例如专利文献1和2)。SSD电路是从来自源极驱动器的各端子的1个视频信号线向多个源极配线分配视频数据的电路。通过搭载SSD电路,能使非显示区域中的配置端子部和配线的区域(端子部/配线形成区域)更窄。另外,来自源极驱动器的输出数量减小,能减小电路规模,因此能减少驱动器IC的成本。
驱动电路、SSD电路等周边电路包含TFT。在本说明书中,将在显示区域的各像素中作为开关元件配置的TFT称为“像素TFT”,将构成周边电路的TFT称为“电路TFT”。另外,将电路TFT中的在多路分配电路(SSD电路)中作为开关元件使用的TFT称为“DMX电路用TFT”。
专利文献1:国际公开第2011/118079号
专利文献2:特开2010-102266号公报
发明内容
在DMX电路用TFT中要求高的电流驱动力。
本发明的实施方式的目的在于提供包含能提高驱动力的薄膜晶体管的多路分配电路和具备多路分配电路的有源矩阵基板。
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