[发明专利]一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器在审
申请号: | 201811039160.1 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109327194A | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 何旭;郑远;汪宁欢;陈新宇;杨磊 | 申请(专利权)人: | 南京国博电子有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/48;H03F3/195 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低噪声放大器 并联开关 控制电路 串联开关 输出端 旁路功能 单片式 高线性 输入端 宽带 共源共栅结构 单集成电路 输入端并联 工作带宽 线性放大 芯片实现 应用频率 噪声系数 高增益 全集成 小电流 并联 串接 保证 | ||
本发明涉及一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器,包括一个低噪声放大器、串联开关、并联开关、A控制电路、B控制电路,其中串联开关输入端串接在低噪声放大器输出端,输出端与并联开关输出端并联,并联开关输入端与低噪声放大器输入端并联,A控制电路与低噪声放大器、串联开关串联连接,B控制电路与低噪声放大器、并联开关串联连接。优点:1)低噪声放大器使用共源共栅结构,使低噪声放大器工作时利用较小电流获得较高增益,同时保证器件较低的噪声系数,获得较大的工作带宽。2)采用GaAs E/D pHEMT工艺,将低噪声放大器、串联开关、并联开关、控制电路等单元全集成于单集成电路芯片实现,在较宽应用频率范围内实现信号的线性放大。
技术领域
本发明是一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器,属于无线通信技术领域。
背景技术
现今移动通讯技术飞速发展,随着5G通信各项标准逐步完善,5G通信时代也在飞速向我们走来,对移动通信速率的提升要求也变得越来越高。某些大型人流密集型场所如体育馆,大型商场,飞机场等,由于其建筑面积大、建筑物对信号的屏蔽强、局部网络信号密集会导致信号阻塞等特殊原因,常采用室内分布系统来改善室内移动通信环境,作为对传统基站架构的补充,以保证室内各区域都有良好的信号覆盖。
室内分布系统主要分为无源分布系统与有源分布系统两类,对于面积较大的场所,常采用有源分布系统。有源分布系统内置低噪声放大器,用于补偿信号在传输过程中的损耗。当其覆盖区域内用户较少,信号较弱时,放大器开始工作,将信号放大,使用户获得良好的信号;当其覆盖区域内用户较多,信号强度较大时,为防止信号阻塞,该放大器关断,信号从其他通道旁路,以保证用户的移动通信设备正常使用。由于移动通信应用对信号质量的特殊要求,因此对该放大器也提出了低噪声、高线性、高增益、低功耗、多工作模式、低成本等特殊要求。发明内容
本发明提出的是一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器,其目的在于针对现有技术要求低噪声放大器做到低噪声、高线性、高增益、低功耗、多工作模式、低成本等特殊要求,提出了一种可以同时完成射频信号放大、射频信号旁路、射频信号关断等多种功能的宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器。
本发明的技术解决方案:一种宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器,包括一个低噪声放大器、串联开关、并联开关、A控制电路、B控制电路,其中串联开关输入端串接在低噪声放大器输出端,输出端与并联开关输出端并联,并联开关输入端与低噪声放大器输入端并联,A控制电路与低噪声放大器、串联开关串联连接,B控制电路与低噪声放大器、并联开关串联连接。
本发明的有益效果:
1)低噪声放大器使用了共源共栅结构,一方面使低噪声放大器工作时利用较小的工作电流获得较高的增益同时保证器件较低的噪声系数,另一方面获得较大的工作带宽。
2)采用GaAs E/D pHEMT工艺,将低噪声放大器、串联开关、并联开关、控制电路等单元全集成于单集成电路芯片实现,可在较宽的应用频率范围内实现信号的线性放大。
3)可在较宽的频带内在多种状态下进行工作,并在工作带宽内拥有较高的线性度,满足2G/3G/5G sub-6GHz/2.5GHz WLAN移动通信应用需求。
附图说明
附图1是经典带旁路功能的低噪声放大器框图。
附图2是经典级联放大器原理图。
附图3是经典共源共栅放大器原理图。
附图4是宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器框图。
附图5是宽带高线性带旁路功能的单片式低噪声放大器的控制电路框图。
附图6是低噪声放大器通路原理图。
附图7是并联开关通路原理图。
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