[发明专利]键盘有效
申请号: | 201811039287.3 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN110879664B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 李彦庆 | 申请(专利权)人: | 群光电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/02 | 分类号: | G06F3/02;H03K17/96 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 胡少青;郭栋梁 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 键盘 | ||
1.一种键盘,其特征在于,所述键盘包括:
底板,所述底板具有多个中空部;
多个按键结构,所述多个按键结构分别配置在所述中空部;
电路板,所述电路板设置在所述底板的表面上;
电容传感模块,所述电容传感模块包括:
多个传感单元,分别设置在多个净空区内,所述净空区邻近于部分所述按键结构,所述净空区为不具有导电件的区域;及
控制单元,设置在所述电路板上,所述控制单元电性连接至所述传感单元,当邻近于所述传感单元的所述按键结构被按压时,所述控制单元产生电容变化值;以及
处理模块,电性连接至所述电容传感模块的所述控制单元,并接收所述电容变化值,所述处理模块依据所述电容变化值判断所述按键结构的被按压程度,并产生对应的输入信号;
当邻近于所述传感单元的所述按键结构被导体按压时,所述传感单元依据其与所述导体的距离差值产生电容变化,所述控制单元检测所述电容变化并产生所述电容变化值;
所述传感单元为导电件;
所述净空区位于所述电路板的表面上,并分别在所述多个净空区涂布金属涂层,所述金属涂层作为所述传感单元。
2.根据权利要求1所述的键盘,其特征在于,所述处理模块包括记忆单元,储存电容变化输入信号对照表,所述电容变化输入信号对照表包含多个电容变化区段及其对应的所述输入信号,所述处理模块判断所述电容变化值位于所述电容变化区段的其中之一,并产生对应的所述输入信号。
3.根据权利要求1所述的键盘,其特征在于,所述处理模块包括记忆单元,储存按压深度输入信号对照表,所述按压深度输入信号对照表包含多个按压深度区段及其对应的所述输入信号,所述处理模块依据所述电容变化值计算取得按压深度,并判断所述按压深度位于所述按压深度区段的其中之一,并产生对应的所述输入信号。
4.根据权利要求1所述的键盘,其特征在于,所述处理模块包括记忆单元,储存电容变化按压深度对照表,所述电容变化按压深度对照表包含多个电容变化区段及其对应的按压深度,所述处理模块依据所述电容变化值取得所述按压深度。
5.根据权利要求1所述的键盘,其特征在于,所述净空区位于所述按键结构,且部分所述按键结构分别包括相对设置的第一金属弹片及第二金属弹片,所述第一金属弹片电性连接至所述处理模块,所述第二金属弹片电性连接至所述电路板上的接地件。
6.根据权利要求5所述的键盘,其特征在于,所述控制单元电性连接至所述第一金属弹片,且所述第一金属弹片作为所述传感单元。
7.根据权利要求5所述的键盘,其特征在于,所述控制单元电性连接至所述第二金属弹片,且所述第二金属弹片作为所述传感单元。
8.根据权利要求5所述的键盘,其特征在于,当所述按键结构被按压时,所述第一金属弹片及所述第二金属弹片相互接触,并产生触发信号,所述处理模块并对应产生所述输入信号。
9.根据权利要求1所述的键盘,其特征在于,所述净空区所邻近的所述按键结构为箭头键。
10.根据权利要求9所述的键盘,其特征在于,所述箭头键包括上、下、左、右、A字符、S字符、D字符、或W字符所对应的所述按键结构。
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