[发明专利]一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件及应用有效
申请号: | 201811039555.1 | 申请日: | 2018-09-06 |
公开(公告)号: | CN109361141B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 郭强兵;邱建荣 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01S3/098 | 分类号: | H01S3/098;G02B5/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 饱和 吸收体 器件 应用 | ||
1.一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件,其特征在于: 硼纳米片均匀涂在反射镜或微纳光纤表面构成可饱和吸收体器件;或者分散在透明基质内形成复合物膜构成可饱和吸收体器件;
所述的透明基质为有机聚合物,所述的有机聚合物为聚乙烯醇或聚甲基丙烯酸甲酯。
2.根据权利要求1所述的一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件,其特征在于:所述的反射镜为金镜或银镜。
3.根据权利要求1所述的一种基于硼纳米片的可饱和吸收体器件,其特征在于:所述的微纳光纤为拉锥光纤或D形光纤。
4.一种权利要求1-3任一所述基于硼纳米片的可饱和吸收体器件的应用,其特征在于:所述的可饱和吸收体器件应用于脉冲激光器领域。
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