[发明专利]含有哑字线的三维一次编程存储器在审
| 申请号： | 201811039690.6 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN109102837A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310051*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 字线 三维一次编程存储器 哑位线 编程 存储 存储阵列 交叉处 预编程 | ||
1.一种三维一次编程存储器，其特征在于含有：
一含有晶体管的半导体衬底(0)；
一堆叠在该半导体衬底(0)上方并含有多条数据字线(20a-20z)和多条数据位线(30a-30z)的OTP存储阵列(0A)；
一条与该数据字线(20a-20z)平行的哑字线(20D)；
一条与该数据位线线(30a-30z)平行的哑位线(31b)；
一位于在该哑字线(20D)和该哑位线(31b)交叉处的哑存储元(1D1)，该哑存储元(1D1)已编程；
位于所述数据字线(20a-20z)和该哑位线(31b)交叉处的所有哑存储元(1a1-1z1)均未编程；位于该哑字线(20D)和所述数据位线(30a-30z)交叉处的所有哑存储元(1Da-1Dz)均未编程。
2.一种半导体存储器，其特征在于含有：
一含有多条数据字线(20a-20z)和多条数据位线(30a-30z)的存储阵列(0A)；
一条与该数据字线(20a-20z)平行的哑字线(20D)；
一条与该数据位线线(30a-30z)平行的哑位线(31b)；
一位于在该哑字线(20D)和该哑位线(31b)交叉处的哑存储元(1D1)，该哑存储元(1D1)已编程；
位于所述数据字线(20a-20z)和该哑位线(31b)交叉处的所有哑存储元(1a1-1z1)均未编程；位于该哑字线(20D)和所述数据位线(30a-30z)交叉处的所有哑存储元(1Da-1Dz)均未编程。
3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征还在于含有：一差分读出放大器(58a,58D)，该差分读出放大器(58a, 58D)的一个输入(53a, 53)与该哑位线(31b)耦合。
4.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征还在于含有：一条与该数据位线线(30a-30z)平行的第二哑位线(31a)。
5.根据权利要求4所述的存储器，其特征还在于含有：一位于在该哑字线(20D)和该第二哑位线(31a)交叉处的第二哑存储元(1D0)，该第二哑存储元(1D0)未编程。
6.根据权利要求5所述的存储器，其特征还在于含有：一差分读出放大器(58a, 58D)，该差分读出放大器(58a, 58D)的一个输入(53a, 53)与该哑位线(31b)和该第二哑位线(31a)耦合。
7.根据权利要求5所述的存储器，其特征还在于含有：一条与该数据位线线(30a-30z)平行的第三哑位线(31d)。
8.根据权利要求7所述的存储器，其特征还在于含有：一位于在该哑字线(20D)和该第三哑位线(31d)交叉处的第三哑存储元(1D3)。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征还在于：该第三哑存储元(1D3)已编程，其电阻与该哑存储元(1D1)不同。
10.根据权利要求9所述的存储器，其特征还在于含有：一第二差分读出放大器(58b,58D)，该差分读出放大器(58b, 58D)的一个输入(53b, 53)与该第三哑位线(31d)耦合。
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