[发明专利]一种半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

第一腔室部；

可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；

第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，容纳于所述微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间通过边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述半导体晶圆的外缘的第一侧表面、第二侧表面和外端面暴露于所述边缘微处理空间，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述边缘处理通孔中的一个或多个作为流体出口。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述边缘微处理空间为环形，所述半导体晶圆的整个外缘都伸入所述边缘微处理空间，所述边缘微处理空间为封闭空间，仅通过边缘处理通孔与外部相通；

所述第一槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面上，所述第二槽道的内侧壁部顶面抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，其还包括有一个或多个圆形垫片，该圆形垫片的直径小于所述半导体晶圆的直径，

在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，所述微腔室内能够容纳多片半导体晶圆，每两个半导体晶圆之间放置一个圆形垫片，

容纳于所述微腔室内的多片半导体晶圆中的每一个的外缘都伸入所述边缘微处理空间。

5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述边缘微处理空间为环形，每个半导体晶圆的整个外缘都伸入所述边缘微处理空间，每个半导体晶圆的外缘的上表面、下表面和外端面均暴露于所述边缘微处理空间。

6.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，所述圆形垫片和所述半导体晶圆共心放置。

7.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，其还包括设置于第一腔室部和/或第二腔室部上的高度调整机构，高度调整机构能够调整所述微腔室的高度以容纳不同数量的半导体晶圆。

8.根据权利要求7所述的半导体处理装置，其特征在于，所述高度调整机构包括可拆卸垫圈。

9.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述第二腔室部具有形成于第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面的一个或多个凹陷部，所述一个或多个凹陷部位于第二槽道的内侧；

在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述半导体晶圆容纳于所述微腔室内时，靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面遮盖住所述一个或多个凹陷部的顶部以形成一个或多个内侧微处理空间，各所述内侧微处理空间通过内侧处理通孔与外部相通，流体通过所述内侧处理通孔进入或流出各所述内侧微处理空间。

10.根据权利要求9所述的半导体处理装置，其特征在于，所述内侧处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述内侧处理通孔中的一个或多个作为流体出口，所述内侧微处理空间为封闭空间，仅通过；内侧处理通孔与外部相通。