[发明专利]一种半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，其特征在于，其包括：

第一腔室部；

可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，一片或多片叠放在一起的半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；

第一腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，第二腔室部具有面向所述微腔室的内壁表面，

在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第一腔室部的所述半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于所述半导体晶圆外侧的外端面微处理空间，该外端面微处理空间通过外端面处理通孔与外部相通，流体通过所述外端面处理通孔进入或流出所述外端面微处理空间。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述半导体晶圆的外端面暴露于所述外端面微处理空间，所述外端面处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述外端面处理通孔中的一个或多个作为流体出口。

3.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

所述外端面微处理空间为环形，所述外端面微处理空间为封闭空间，仅通过外端面处理通孔与外部相通。

4.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，所述微腔室内能够容纳多片叠放在一起的半导体晶圆，

容纳于所述微腔室内的多个半导体晶圆中的每一个的外端面均暴露于所述外端面微处理空间。

5.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，所述外端面微处理空间为环形，所述半导体晶圆共心放置。

6.根据权利要求4所述的半导体处理装置，其特征在于，其还包括设置于第一腔室部和/或第二腔室部上的高度调整机构，高度调整机构能够调整所述微腔室的高度以容纳不同数量的半导体晶圆。

7.根据权利要求6所述的半导体处理装置，其特征在于，所述高度调整机构包括可拆卸垫圈。

8.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，

第二腔室部具有形成于第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面的凹陷部，所述凹陷部位于外端面处理空间的内侧；

在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，靠近所述第二腔室部的所述半导体晶圆的一侧面遮盖住所述凹陷部的顶部以形成内侧微处理空间，该内侧微处理空间通过内侧处理通孔与外部相通，流体通过所述内侧处理通孔进入或流出所述内侧微处理空间。

9.根据权利要求8所述的半导体处理装置，其特征在于，所述内侧处理通孔中的一个或多个作为流体入口，所述内侧处理通孔中的一个或多个作为流体出口，所述内侧微处理空间为封闭空间，仅通过内侧处理通孔与外部相通。