[发明专利]氧化锆陶瓷抛光方法及氧化锆陶瓷制品

权利要求书

1.一种氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：

在转动容器内加入第一磨料与水，将氧化锆陶瓷加入所述的转动容器内，所述转动容器依次至少分以下四个阶段转动，第一阶段：转速85r/min-100r/min，时间10min-20min；第二阶段：转速135r/min-165r/min，时间700min-800min；第三阶段：转速120r/min-140r/min，时间45min-80min；第四阶段：转速100r/min-120r/min，时间45min-80min；所述第一磨料为高频瓷与碳化硅；

在转动容器内加入第二磨料与水，将所述的氧化锆陶瓷加入所述的转动容器内，所述转动容器依次至少分以下四个阶段转动，第一阶段：转速85r/min-100r/min，时间10min-20min；第二阶段：转速135r/min-165r/min，时间250min-300min；第三阶段：转速120r/min-140r/min，时间0.5min-3min；第四阶段：转速100r/min-120r/min，时间0.5min-3min；所述第二磨料为高频瓷与碳化硅；

在转动容器内加入第三磨料与水，将所述的氧化锆陶瓷加入所述的转动容器内，所述转动容器依次至少分以下四个阶段转动，第一阶段：转速85r/min-100r/min，时间10min-20min；第二阶段：转速135r/min-165r/min，时间450min-480min；第三阶段：转速120r/min-140r/min，时间50min-80min；第四阶段：转速100r/min-120r/min，时间340min-400min；所述第三磨料为高频瓷与抛光粉。

2.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述高频瓷与碳化硅的质量比为14-22：1。

3.根据权利要求2所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述高频瓷的平均粒径为30mm-40mm，所述碳化硅的平均粒径为15μm-20μm。

4.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述高频瓷与碳化硅的质量比为14-22：1。

5.根据权利要求4所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述高频瓷的平均粒径为30mm-40mm，所述碳化硅的平均粒径为10μm-15μm。

6.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述高频瓷与抛光粉的质量比为140-220：1。

7.根据权利要求6所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述高频瓷的平均粒径为30mm-40mm，所述抛光粉的平均粒径为1μm-5μm。

8.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述第一磨料、第二磨料及第三磨料的加入量均为所述转动容器体积的60％-70％，所述水没过所述第一磨料、第二磨料及第三磨料。

9.根据权利要求1所述的氧化锆陶瓷抛光方法，其特征在于：所述第一磨料、第二磨料及第三磨料的水中均加入表面活性剂。

10.一种氧化锆陶瓷制品，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的氧化锆陶瓷抛光方法制备而成。