[发明专利]液体喷出头、液体喷出装置、压电设备以及超声波传感器

权利要求书

1.一种液体喷出头，具备：

压力室，其收纳液体；

振动板，其形成所述压力室的壁面；

压电元件，其隔着所述振动板而被设置于与所述压力室相反的一侧处，并且使所述振动板进行振动，

所述振动板包括以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅层、和以含有氧化硅的方式而被形成的硅热氧化层，

所述氮氧化硅层被设置于所述压电元件与所述硅热氧化层之间。

2.如权利要求1所述的液体喷出头，其中，

所述振动板包括被层压在所述氮氧化硅层上的由氮化硅形成的氮化硅层。

3.如权利要求2所述的液体喷出头，其中，

所述氮氧化硅层被层压在由多晶硅形成的多晶硅层、与所述氮化硅层之间。

4.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，

所述振动板包括位于所述压电元件侧的最表层的紧贴层，

所述紧贴层被形成于氮氧化硅层的表面上，所述氮氧化硅层以含有所述振动板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。

5.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，

所述压电元件被形成于氮氧化硅层的表面上，所述氮氧化硅层以含有所述振动板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。

6.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，

所述氮氧化硅层的线膨胀系数在1.0×10^-6/K以上且在2.0×10^-6/K以下。

7.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，

所述氮氧化硅层的线膨胀系数在1.5×10^-6/K以上且在2.0×10^-6/K以下。

8.如权利要求1至权利要求3中任一项所述的液体喷出头，其中，

所述氮氧化硅层所含有的氮的质量相对于氧与所述氮的总计质量的比例在20％以上且在90％以下。

9.一种液体喷出装置，具备：

权利要求1至权利要求8中任一项的液体喷出头。

10.一种压电设备，具备：

振动板，其形成压力室的壁面；

压电元件，其隔着所述振动板而被设置于与所述压力室相反的一侧处，并且使所述振动板进行振动，

所述振动板具有以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅层、和以含有氧化硅的方式而被形成的硅热氧化层，

所述氮氧化硅层被设置于所述压电元件与所述硅热氧化层之间。

11.一种超声波传感器，具备：

权利要求10的压电设备。