[发明专利]半导体装置结构的形成方法

说明书

提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在基底上方形成第一层。此方法包含在第一层上方形成停止层。此方法包含在停止层上方形成第二层。此方法包含在第二层上方进行第一平坦化工艺直到暴露出停止层。此方法包含进行蚀刻工艺以移除第二层、停止层和第一层的上部；以及在第一层上方进行第二平坦化工艺。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，且特别涉及半导体装置结构的形成方 法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)工业已经历了快速成长。在集 成电路材料和设计上的技术进步产生了数代集成电路，每一代都比前一代 具有更小且更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工与制造集成电路的 复杂性。

在集成电路的发展史中，功能密度(即每一芯片区互连的装置数目)增 加，同时几何尺寸(即制造过程中所产生的最小的组件或线路)缩小。此元 件尺寸微缩化的工艺一般来说具有增加生产效率与降低相关费用的益处。

然而，由于部件(feature)尺寸持续缩减，制造工艺(例如光刻工艺和蚀 刻工艺)持续变得更加难以进行。因此，形成越来越小尺寸的可靠的半导 体装置是个挑战。

发明内容

在一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含在基 底上方形成第一层；在第一层上方形成停止层；在停止层上方形成第二层； 在第二层上方进行第一平坦化工艺直到暴露出停止层；进行蚀刻工艺以移 除第二层、停止层和第一层的上部；以及在第一层上方进行第二平坦化工 艺。

在一些其他实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含 提供第一层；在第一层上方形成第二层；在第二层上方进行第一平坦化工 艺以移除第二层；在第一层上方进行第一清洁工艺，其中第一清洁工艺使 用包含第一螯合剂的第一清洁溶液；进行蚀刻工艺以移除第一层的上部； 以及在第一层上方进行第二平坦化工艺。

在另外一些实施例中，提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含 在基底上方形成第一半导体层，其中基底包含基底部分和在基底部分上方 的鳍部分，且第一半导体层覆盖鳍部分和基底部分；在第一半导体层上方 形成第二半导体层；在第二半导体层上方进行平坦化工艺以移除第二半导 体层，其中平坦化工艺使用研磨溶液；进行蚀刻工艺以移除第一半导体层 的上部，其中在蚀刻工艺之后，突出结构形成于第一半导体层的下部上方；以及移除突出结构。

附图说明

根据以下的详细说明并配合附图可以更加理解本发明实施例。应注意 的是，根据本产业的标准惯例，图示中的各种部件并未必按照比例绘制。 事实上，可能任意地放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A至图1H为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各 种阶段的剖面示意图。

图1B-1为依据一些实施例的图1B的研磨设备和半导体装置结构的透 视图。

图1E-1为依据一些实施例的图1E的研磨设备和半导体装置结构的透 视图。

图1H-1为依据一些实施例的图1H的半导体装置结构的上视图。

图2A至图2B为依据一些实施例的清洁半导体装置结构的工艺的各 种阶段的示意图。

图3为依据一些实施例的图2的刷头和槽体的侧视图。

图4A至图4D为依据一些实施例的形成半导体装置结构的工艺的各 种阶段的剖面示意图。

图4D-1为依据一些实施例的图4D的半导体装置结构的上视图。

图4D-2为依据一些实施例的显示沿图4D-1的剖面线I-I’的半导体装 置结构的剖面示意图。

符号说明

100 半导体装置结构