[发明专利]一种大面积高效稳定的钝化隧穿有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池及叠层电池在审

专利信息
申请号: 201811042044.5 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN109326717A 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 丁建宁;袁宁一;王书博 申请(专利权)人: 常州大学;江苏大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电子传输层 空穴传输层 钙钛矿 叠层电池 无机杂化 氮化物 钝化 载流子 太阳能电池 导电玻璃 光吸收层 金属电极 隧穿 正置 电池 倒置太阳能电池 太阳能电池技术 有机-无机杂化 表面缺陷 倒置结构 电池内部 界面复合 重掺杂层 漏电 外电路 叠加 传输 填补
【权利要求书】:

1.一种大面积高效稳定的钝化隧穿有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,该电池采用正置结构或倒置结构,其特征在于:正置有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的结构为,从导电玻璃基底开始由下往上依次设置为电子传输层、有机-无机杂化钙钛矿光吸收层、空穴传输层、ALD沉积氮化物、重掺空穴传输层和金属电极;倒置有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的结构为:从导电玻璃基底开始由下往上依次设置为空穴传输层、有机-无机杂化钙钛矿光吸收层、电子传输层、ALD沉积氮化物、重掺杂电子传输层和金属电极。

2.如权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述有机-无机杂化钙钛矿吸收层分子式为ABX3,其中,A为Cs+、CH3NH3+(MA+)、NH2CH=NH2+(FA+);B为Pb2+、Sn2+、Ti4+、Bi3+;X为Cl-、Br-、I-

3.如权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述有机-无机杂化钙钛矿吸收层分子式为MAPbI3,CsxMA1-xPbI3(x=0~0.3)

MAPbI3-xBrx(x=0~0.2),FAPbI3

4.如权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层为TiO2或SnO2,空穴传输层为Spiro-OMeTAD或NiO。

5.如权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述重掺空穴传输层为掺Ag的NiO或增加锂盐浓度的spiro-OMeTAD;重掺电子传输层为掺Al的TiO2或SnO2

6.如权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述ALD沉积氮化物是使用原子层沉积系统沉积AlN层,沉积过程中,以三甲基铝(TMA,Al3(CH3)3)和氨气(NH3)作为铝源和氮源,高纯氮气作为载气和清洗气体;通入TMA反应物100ms,N2吹扫2s,通入NH3 200ms,N2吹扫2s作为一个沉积循环,沉积过程中,反应腔室温度控制在100~150℃,沉积1~10个循环,得到ALD氮化物。

7.一种有机-无机杂化钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池,其特征在于:所述电池将权利要求1所述的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池与晶硅电池叠加制备叠层电池,所述叠层电池从金属电极开始由下往上依次设置为,透明导电层、n型a-Si:H层、本征a-Si:H层、n型单晶硅衬底、本征a-Si:H层、p型a-Si:H层、透明导电层、电子传输层、有机-无机杂化钙钛矿光吸收层、空穴传输层、ALD沉积的氮化物、重掺空穴传输层、透明导电层、金属栅线;或所述叠层电池从金属电极开始由下往上依次设置为,透明导电层,p型a-Si:H层、本征a-Si:H层、n型单晶硅片、本征a-Si:H层、n型a-Si:H层、透明导电层、空穴传输层、有机-无机杂化钙钛矿光吸收层、电子传输层、ALD沉积的氮化物、重掺电子传输层、透明导电层、金属栅线。

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