[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

基底；

第一插塞，设置在该基底上；

位线，设置在该基底上，该位线邻接于该第一插塞；

侧壁结构，设置在该位线与该第一插塞之间；

接触垫，设置在该第一插塞上，其中该接触垫从该位线和该侧壁结构的上表面突出，该接触垫直接接触该侧壁结构的该上表面且包括分别位于该接触垫两相对侧的顶角处的凹陷肩部；以及

电容结构，设置在该接触垫上并与该接触垫直接接触，其中在投影方向上整个该电容结构的覆盖区域完全设置于整个该接触垫的覆盖区域内，该电容结构的侧壁设置在该接触垫的该凹陷肩部上，该电容结构还包含下电极层，且该下电极层填入该接触垫的该凹陷肩部内。

2.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该顶角处的该凹陷肩部圆角化。

3.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该凹陷肩部呈圆弧状或花瓣状。

4.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该凹陷肩部具有一宽度，该宽度约为该接触垫的宽度的六分之一至八分之一。

5.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该基底包含第一区域与第二区域，该位线与该插塞都设置在该第一区域内。

6.依据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

栅极结构，设置在该基底上，位于该第二区域内；

第二插塞，设置在该基底上，位于该第二区域内，该第二插塞电连接该栅极结构两侧的源极/漏极区；以及

另一接触垫，设置在该第二插塞上，且该另一接触垫的顶角处具有凹陷肩部。

7.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该接触垫与该第一插塞是一体成形。

8.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：

提供基底；

在该基底上形成第一插塞；

在该基底上形成位线，该位线邻接该第一插塞；

在该位线与该第一插塞之间形成侧壁结构；

在该第一插塞上形成接触垫，其中该接触垫和该第一插塞一体形成交叉结构，该交叉结构的水平部设置于该侧壁结构的上表面上且包括分别位于该接触垫两相对侧的顶角处的凹陷肩部；以及

在该接触垫上形成电容结构，直接接触该接触垫，其中在投影方向上整个该电容结构的覆盖区域完全设置于整个该接触垫的覆盖区域内。

9.依据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成该接触垫还包含：

在该基底上形成导电层，覆盖在该第一插塞上；

在该导电层上形成图案化掩模层；

通过该图案化掩模层进行第一蚀刻制作工艺，以在该导电层的上半部形成开口。

10.依据权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该图案化掩模层与该开口侧壁上形成间隙壁；以及

通过该图案化掩模层与该间隙壁进行第二蚀刻制作工艺，以形成该接触垫。

11.依据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在形成该接触垫之后，移除该图案化掩模层与该间隙壁，以形成该接触垫的该凹陷肩部。

12.依据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，形成该电容结构还包含：

形成下电极层，填入该凹陷肩部。

13.依据权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该基底包含第一区域与第二区域，该位线与该第一插塞都形成在该第一区域内。

14.依据权利要求13所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，还包含：

在该基底上形成栅极结构，位于该第二区域内；

在该基底上形成第二插塞，位于该第二区域内，该第二插塞电连接该栅极结构两侧的源极/漏极区；以及

在该第二插塞上形成另一接触垫，且该另一接触垫的顶角处具有凹陷肩部。