[发明专利]一种用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块在审
| 申请号： | 201811043626.5 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890830A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 范伟;李彦涌;罗剑波;李雪荣;彭凯;李超;黄长强;黄南;朱武;刘华东;杨德勇 | 申请（专利权）人： | 中车株洲电力机车研究所有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00;H02M7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高频 变流器 功率 模块 直流 换流 回路 | ||
1.一种用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述直流换流回路模块包括：
直流电容，所述直流电容包括多级电容芯体和电容引出电极；
叠层母排，所述多级电容芯体通过叠层母排实现直流回路的功率互联；以及
SiC功率半导体器件，所述SiC功率半导体器件具有SiC功率半导体器件功率输出端子，所述SiC功率半导体器件功率输出端子与所述电容引出电极直接连接；
其中，所述直流换流回路模块不具有直流母排。
2.如权利要求1所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述多级电容芯体包括吸收电容芯体、支撑电容芯体以及高频电容芯体。
3.如权利要求2所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述吸收电容芯体被配置成近吸收SiC功率半导体器件的尖峰过压。
4.如权利要求2所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述支撑电容芯体被配置成滤出主要频段的纹波，支撑直流母线电压。
5.如权利要求2所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述高频电容芯体被配置成滤出更高频段的纹波，减少直流回路高频振荡。
6.如权利要求2所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述高频电容芯体根据实际变流系统参数拆解为多级高频电容芯体。
7.如权利要求1所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述SiC功率半导体器件功率输出端子与电容引出电极之间通过连接螺栓直接连接。
8.如权利要求1所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述SiC功率半导体器件为多个半桥SiC功率半导体器件。
9.如权利要求1所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述直流电容底部安装有散热器台面。
10.如权利要求6所述的用于高频变流器功率模块的直流换流回路模块，其特征在于，所述散热器台面上设置有散热器。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
