[发明专利]一种量子点发光二极管在审
申请号: | 201811044363.X | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN110890467A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 覃辉军 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 | ||
1.一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极及设置在所述阳极和阴极之间的叠层、所述叠层包括层叠设置的量子点发光层和电子传输层,所述量子点发光层靠近所述阳极一侧设置,所述电子传输层靠近所述阴极一侧设置,其特征在于,所述电子传输层包括至少一层第一电子传输层,所述第一电子传输层材料包括:颗粒、结合在所述颗粒表面的卤素配体和油溶性有机配体,所述颗粒为无机半导体纳米晶。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述无机半导体纳米晶的粒径为2-7nm。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述无机半导体纳米晶在可见波段无发射。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述无机半导体纳米晶为金属氧化物颗粒,所述金属氧化物颗粒选自ZnO颗粒、CdO颗粒、SnO颗粒或GeO颗粒;或者,
所述无机半导体纳米晶为金属硫化物颗粒,所述金属氧化物颗粒选自ZnS颗粒、SnS颗粒或GeS颗粒。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述卤素配体选自氯离子、溴离子和碘离子中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述油溶性有机配体选自碳原子数大于等于8的直链有机配体、支链碳原子数大于等于4的仲胺或叔胺、取代或未取代的烷胺基膦、取代或未取代的烷氧基膦、取代或未取代的硅烷基膦和支链碳原子数大于等于4的烷基膦中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述碳原子数大于等于8的直链有机配体选自碳原子数大于等于8的有机羧酸、碳原子数大于等于8的硫醇、碳原子数大于等于8的有机磷酸和碳原子数大于等于8的伯胺中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的硫醇、碳原子数大于等于8的有机磷酸和取代或未取代的烷胺基膦中的多种。
9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述油溶性有机配体为取代或未取代的烷胺基膦,所述颗粒为金属硫化物颗粒;
或者,所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的有机磷酸,所述颗粒为金属氧化物颗粒;
或者,所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的硫醇,所述颗粒为金属硫化物颗粒;
或者,所述无机半导体纳米晶中含有金属掺杂元素。
10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述金属掺杂元素选自Mg、Mn、Al、Y、V和Ni中的一种或多种;
或者,所述无机半导体纳米晶选自ZnO颗粒、ZnS颗粒或SnO颗粒。
11.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,当所述电子传输层为一层第一电子传输层时,所述量子点发光层的材料为水溶性量子点。
12.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层还包括至少一层第二电子传输层,所述第二电子传输层材料为水溶性电子传输材料。
13.根据权利要求12所述的量子点发光二极管,其特征在于,当所述量子点发光层的材料为水溶性量子点时,其中,所述第一层第一电子传输层叠设在所述量子点发光层上,第一层第二电子传输层叠设在所述第一层第一电子传输层上,在后的每一电子传输层叠设在每一在前的不同种类的电子传输层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择