[发明专利]一种量子点发光二极管在审

专利信息
申请号: 201811044363.X 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN110890467A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 覃辉军 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种量子点发光二极管,包括:阳极、阴极及设置在所述阳极和阴极之间的叠层、所述叠层包括层叠设置的量子点发光层和电子传输层,所述量子点发光层靠近所述阳极一侧设置,所述电子传输层靠近所述阴极一侧设置,其特征在于,所述电子传输层包括至少一层第一电子传输层,所述第一电子传输层材料包括:颗粒、结合在所述颗粒表面的卤素配体和油溶性有机配体,所述颗粒为无机半导体纳米晶。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述无机半导体纳米晶的粒径为2-7nm。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述无机半导体纳米晶在可见波段无发射。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述无机半导体纳米晶为金属氧化物颗粒,所述金属氧化物颗粒选自ZnO颗粒、CdO颗粒、SnO颗粒或GeO颗粒;或者,

所述无机半导体纳米晶为金属硫化物颗粒,所述金属氧化物颗粒选自ZnS颗粒、SnS颗粒或GeS颗粒。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述卤素配体选自氯离子、溴离子和碘离子中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述油溶性有机配体选自碳原子数大于等于8的直链有机配体、支链碳原子数大于等于4的仲胺或叔胺、取代或未取代的烷胺基膦、取代或未取代的烷氧基膦、取代或未取代的硅烷基膦和支链碳原子数大于等于4的烷基膦中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述碳原子数大于等于8的直链有机配体选自碳原子数大于等于8的有机羧酸、碳原子数大于等于8的硫醇、碳原子数大于等于8的有机磷酸和碳原子数大于等于8的伯胺中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的硫醇、碳原子数大于等于8的有机磷酸和取代或未取代的烷胺基膦中的多种。

9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述油溶性有机配体为取代或未取代的烷胺基膦,所述颗粒为金属硫化物颗粒;

或者,所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的有机磷酸,所述颗粒为金属氧化物颗粒;

或者,所述油溶性有机配体为碳原子数大于等于8的硫醇,所述颗粒为金属硫化物颗粒;

或者,所述无机半导体纳米晶中含有金属掺杂元素。

10.根据权利要求9所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述金属掺杂元素选自Mg、Mn、Al、Y、V和Ni中的一种或多种;

或者,所述无机半导体纳米晶选自ZnO颗粒、ZnS颗粒或SnO颗粒。

11.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,当所述电子传输层为一层第一电子传输层时,所述量子点发光层的材料为水溶性量子点。

12.根据权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述电子传输层还包括至少一层第二电子传输层,所述第二电子传输层材料为水溶性电子传输材料。

13.根据权利要求12所述的量子点发光二极管,其特征在于,当所述量子点发光层的材料为水溶性量子点时,其中,所述第一层第一电子传输层叠设在所述量子点发光层上,第一层第二电子传输层叠设在所述第一层第一电子传输层上,在后的每一电子传输层叠设在每一在前的不同种类的电子传输层上。

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