[发明专利]温度控制装置、温度控制方法和半导体生产设备

说明书

本发明涉及半导体生产技术领域，提供一种温度控制装置，用于控制半导体生产设备的温度，该温度控制装置包括温度感测器、控制器以及气体流量调节器。温度感测器用于测量半导体生产设备的实时温度；控制器与温度感测器电连接，控制器用于接收实时温度并将实时温度与预设温度范围进行比较；然后根据比较结果发出控制信号给气体流量调节器；气体流量调节器与控制器电连接，气体流量调节器用于根据控制信号控制通入半导体生产设备的气体流量，以使半导体生产设备的温度保持在预设温度范围内。使用该温度控制装置可以实现对半导体生产设备的温度进行实时控制。

技术领域

本发明涉及半导体生产技术领域，尤其涉及一种温度控制装置、温度控制方法和安装该温度控制装置的半导体生产设备。

背景技术

在半导体生产制造过程中，成膜工艺需要控制温度，温度会影响薄膜性质，在成膜工艺中温度控制不及时会对生产出的薄膜的品质造成很大的影响，但是现有技术中并没有可以对成膜工艺中温度进行实时控制的方法；在现有技术中也没有将PID控制器较好的应用于半导体制造工艺中。

因此，有必要研究一种新的温度控制装置、温度控制方法和安装该温度控制装置的半导体生产设备。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的无法对半导体生产设备温度进行实时控制的不足，提供一种可以对半导体生产设备温度进行实时控制的温度控制装置、温度控制方法和安装该温度控制装置的半导体生产设备。

本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。

根据本发明的一个方面，一种温度控制装置，用于控制半导体生产设备的温度，包括：

温度感测器，用于测量所述半导体生产设备的实时温度；

控制器，电连接于所述温度感测器，用于接收所述实时温度并将所述实时温度与预设温度范围进行比较，根据比较结果发出控制信号；

气体流量调节器，电连接于所述控制器，用于根据所述控制信号控制通入所述半导体生产设备的气体流量，以使所述半导体生产设备的温度保持在预设温度范围内，避免了铝金属凸起造成的缺陷。

根据本发明的一种实施方式，所述预设温度范围包括：第一预设温度范围以及第二预设温度范围。

根据本发明的一种实施方式，所述第一预设温度范围为第一设定温度值加减第一误差温度，所述第二预设温度范围为第二设定温度值加减第二误差温度。

根据本发明的一种实施方式，所述第一设定温度值为大于等于270℃且小于等于400℃。

根据本发明的一种实施方式，所述第二设定温度值大于第一设定温度值10℃至50℃。

根据本发明的一种实施方式，所述气体流量调节范围大于等于2050sccm且小于等于10050sccm，吸附晶圆的电压范围为大于等于1050volt且小于等于10050volt。

根据本发明的一种实施方式，所述气体流量调节范围大于等于2000sccm且小于等于10000sccm，吸附晶圆的电压范围大于等于1000volt且小于等于10000volt。

根据本发明的第二个方面，一种半导体生产设备，包括：

上述任意一项所述的温度控制装置。

根据本发明的第三个方面，一种温度控制方法，用于控制半导体生产设备的温度，包括：

测量所述半导体生产设备的实时温度；