[发明专利]一种钐钴磁体的制备工艺

权利要求书

1.一种钐钴磁体的制备工艺，包括以下步骤：

(1)熔炼，将原材料放置于真空熔炼炉中，在惰性气体保护下使其熔化，得到均匀的合金熔液；

(2)铸锭，将合金熔液浇入冷凝模中进行冷却，得到铸锭；

(3)制粉，将所述铸锭进行初破、中破后，输送至气流磨机或球磨机内进行制粉，得到钐钴磁体粉末；

(4)成型，将所述钐钴磁体粉末在磁场强度为5-10T的磁场中取向成型，在150-280MPa的流体中进行冷等静压获得钐钴磁体生坯；

(5)烧结及回火，将经过冷等静压得到的钐钴磁体生坯先用金属皮包裹后再放置于烧结炉中进行烧结及固熔处理，冷却后，再进行回火，制得钐钴永磁体；烧结及固熔的具体过程如下:将经过冷等静压得到的钐钴磁体生坯先用金属皮包裹后，再放置于烧结炉中，在500～850℃内设置至少两个保温平台，保温时间为1～10h，以除去钐钴磁体生坯内残留的气体，水分，有机物或C、H、O化合物以及物理吸附状态的气体；升温至1180～1200℃，预烧结0.5～2h，在惰性气体的气氛下，将真空烧结炉升温至1195～1215℃，烧结2～5h，接着将真空烧结炉温度降低至1165～1195℃后固熔2～5h后进行快速冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述步骤(5)中，金属皮的材质为熔点高于烧结温度且具有延展性的金属单质或合金材料。

3.根据权利要求2所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述金属皮的材质为不锈钢、铁、钼、钨和钽中的任意一种或任意多种的合金。

4.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述步骤(5)中，金属皮的厚度为0.08-5mm。

5.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述步骤(5)中，金属皮为长方形、正方形、三角形、梯形、圆形或椭圆形。

6.根据权利要求1所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述步骤(5)中，回火工艺为：将烧结后的钐钴毛坯块升温至800～860℃，保温6～12h，然后以0.5～1℃/min的速度降温速到400℃，在400℃保温8～12h后随炉冷却到100℃以下。

7.根据权利要求1中所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述步骤(1)中的原材料包括15-16重量份的Fe，6-6.5重量份的Cu，48-51重量份的Co，2.7-3重量份的Zr和25-26.5重量份的Sm，其中，Sm不能最先放入。

8.根据权利要求7所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，在所述步骤(1)或步骤(3)中加入0.05-0.9重量份的Nb；如果在步骤(1)中加入Nb，其加入时的次序位于其它五种金属的中间。

9.根据权利要求8所述的钐钴磁体的制备工艺，其特征在于，所述Nb为纯Nb金属、Nb合金或Nb化合物中的任意一种；当选择Nb合金或Nb化合物时，Nb的有效成分的重量含量在0.03％～0.9％之间。