[发明专利]半导体晶圆保护用粘合带

说明书

本发明提供在背面研磨工序中，不易在半导体晶圆上产生裂纹的半导体晶圆保护用粘合带。一种半导体晶圆保护用粘合带，其具有基材、及层叠在前述基材上的粘合剂层，23℃下的前述基材的厚度为10～150μm，利用热机械分析装置的压缩膨胀法、在厚度方向上施加载荷0.11N的状态下将上述粘合带从‑70℃加热至150℃时的、23～100℃下的前述粘合带的厚度相对于23℃下的前述粘合带的厚度的最大增加率为1.2％以下。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆保护用粘合带。更详细而言，本发明涉及用于半导体晶圆的背面切削加工时的半导体晶圆保护用粘合带。

背景技术

以往在制造半导体装置时，有时使用背面研磨带。背面研磨带具有在基材上设置有粘合剂层的形态，在粘合剂层上配置半导体晶圆来进行半导体晶圆的背面磨削(背面研磨)时，用于如下用途：保持半导体晶圆的用途、保护半导体晶圆表面的用途、或为了防止通过背面磨削使半导体晶圆单片化时经单片化的半导体芯片飞溅而进行固定的用途(例如参照专利文献1～3)。

背面研磨通常以如下方式进行：在背面研磨带的粘合剂层上配置半导体晶圆的表面(正面；形成有半导体元件所需的布线结构的面)，从背面将半导体晶圆磨削加工至规定的厚度为止，从而使半导体晶圆减薄。

另外，近些年提出了如下方法：通过在半导体晶圆的表面形成槽后进行背面研磨，从而得到各半导体芯片的方法(有时称为“DBG(磨削前切割：Dicing Before Grinding)”)；通过对半导体晶圆中的分割预定线照射激光而形成改性区域，从而能够利用分割预定线容易地分割半导体晶圆后进行背面研磨，然后将该半导体晶圆粘贴在切割芯片接合薄膜上，在低温下(例如，-25～0℃)对切割带进行扩展(以下有时称为“冷却扩展”)，从而使半导体晶圆和芯片接合薄膜同时切断(断裂)，得到各半导体芯片(带有芯片接合薄膜的半导体芯片)。该方法被称为所谓的“磨削前隐形切割(SDBG：Stealth Dicing Before Grinding)”。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-054940号公报

专利文献2：日本特开2015-185691号公报

专利文献3：日本特开2005-343997号公报

发明内容

发明要解决的问题

近些年，由于半导体的高容量化的需要而使硅层的薄层化得以发展。因此，需要用于利用背面研磨来得到比现有更薄的半导体晶圆的技术。在这种用于得到比现有更薄的半导体晶圆的背面研磨工序中，进行使半导体晶圆薄化的主磨削及提高主磨削后的磨削面的平滑性的后研磨。

然而，用于得到比现有更薄的半导体晶圆的这样的背面研磨工序中，存在进行主磨削、后研磨时容易在半导体晶圆上产生裂纹(龟裂)这样的问题。特别是在使用了受到激光照射而形成了改性区域的半导体晶圆时的背面研磨工序中容易产生裂纹。

本发明是鉴于上述问题而完成的，本发明人等着眼于背面研磨带，其目的在于开发出在背面研磨工序中不易使半导体晶圆上产生裂纹的粘合带。因此，本发明的目的在于提供在背面研磨工序中不易使半导体晶圆上产生裂纹的半导体晶圆保护用粘合带。

用于解决问题的方案