[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年9月8日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0115041号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种半导体装置及其制作方法，且更具体来说，涉及一种包括逸出功调整膜(work function adjustment film)的半导体装置以及一种制作所述半导体装置的方法。

背景技术

近来，随着信息介质的迅速普及，半导体装置以在功能方面的显著进步得到明显发展。在新的半导体产品的情形中，需要低的生产成本来确保竞争力，且需要高的集成度来实现高品质。为实现半导体产品的更高集成度，半导体产业依赖于半导体装置的最小特征大小的持续按比例缩减。

发明内容

本发明概念的各个方面提供一种半导体装置以及一种制作所述半导体装置的方法，其中通过减小栅极电阻来增强半导体装置的操作性能及产品可靠性。

根据本发明概念的一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；第一逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳；以及第一阻挡膜，环绕所述第一逸出功调整膜，其中所述第一逸出功调整膜的碳浓度随着所述第一逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

根据本发明概念的另一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：衬底；第一有源图案，设置在所述衬底上且与所述衬底间隔开；栅极绝缘膜，环绕所述第一有源图案；以及逸出功调整膜，环绕所述栅极绝缘膜且包含碳，其中所述逸出功调整膜包括：第一中心部分，设置在所述第一有源图案下方且与所述第一有源图案交叠；以及第二中心部分，设置在所述第一有源图案上且与所述第一有源图案交叠，其中所述第一中心部分的碳浓度不同于所述第二中心部分的碳浓度。

根据本发明概念的另一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：栅极绝缘膜，位于衬底上；n型逸出功调整膜，包含碳且位于所述栅极绝缘膜上；以及第一阻挡膜，包含TiN且位于所述n型逸出功调整膜上，其中所述n型逸出功调整膜的碳浓度随着所述n型逸出功调整膜远离所述第一阻挡膜而增大。

根据本发明概念的另一方面，提供一种制作半导体装置的方法，所述方法包括：提供衬底，其中在所述衬底上设置有第一有源图案且所述第一有源图案与所述衬底间隔开；形成栅极绝缘膜来环绕所述第一有源图案；在所述栅极绝缘膜上形成包含碳的逸出功调整膜；在所述逸出功调整膜上形成第一阻挡膜；以及在所述第一阻挡膜上执行膜处理工艺以调整所述逸出功调整膜中的碳浓度梯度。

附图说明

通过参照附图详细阐述本发明概念的示例性实施例，本发明概念的以上及其它方面及特征将变得更显而易见，在附图中：

图1是用于解释根据本发明概念示例性实施例的半导体装置的示意性平面图。

图2是沿图1所示线A-A'截取的剖视图。

图3是图1所示区O的放大图。

图4是沿图1所示线B-B'截取的剖视图。

图5及图6是示出碳浓度随着图4所示SC1及SC2变化的关系的曲线图。

图7及图8是用于解释根据本发明概念示例性实施例的半导体装置的图。

图9及图10是用于解释根据本发明概念示例性实施例的半导体装置的图。