[发明专利]一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铌酸银基陶瓷，其特征在于：所述铌酸银基陶瓷的结构式为(1-x)AgNbO₃-xBi(Zn_2/3Nb_1/3)O₃，其中0＜x≤0.03。

2.如权利要求1所述的铌酸银基陶瓷，其特征在于：所述铌酸银基陶瓷在180kV/cm～230kV/cm的电场下获得的可释放储能密度为1.9J/cm³～4.6J/cm³，获得的储能效率为31.2％～68.1％。

3.基于权利要求1或2所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)配料混合：将银源、铌源、铋源和锌源混合，得到粉体A；

(2)预烧：将粉体A预烧，球磨破碎，得到粉体B；

(3)造粒、成型：将粉料B与造粒剂混合后造粒，成型，得到陶瓷生坯片；

(4)排胶、烧结：将步骤(3)得到的陶瓷生坯片排胶，烧结，得到所述铌酸银基陶瓷。

4.如权利要求3所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)中将银源、铌源、铋源和锌源混合，经球磨，干燥、过筛，得到粉体A。

5.如权利要求4所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述银源包括Ag₂O，所述铌源包括Nb₂O₅，所述铋源包括Bi₂O₃，所述锌源包括ZnO。

6.如权利要求5所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中将粉体A预烧，球磨破碎，经干燥，过筛，得到粉体B。

7.如权利要求6所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)和步骤(2)中所述球磨的介质包括无水乙醇，磨球的粒径为2～8mm，球料质量比为(5～10)﹕1，粉体与球磨介质的质量比约为1﹕(1～1.5)，球磨转速为250～300r/min。

8.如权利要求6所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中粉体B的粒径小于300nm。

9.如权利要求6所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)和步骤(2)中的干燥的温度为80℃～120℃。

10.如权利要求9所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)和步骤(2)中的干燥的温度为90-110℃。

11.如权利要求10所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)和步骤(2)中的干燥的温度为100-105℃。

12.如权利要求6所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的预烧温度为800～900℃，预烧的气氛包括氧气，所述氧气的流量为0.4-0.6L/min。

13.如权利要求12所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的预烧温度为830-860℃。

14.如权利要求6所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)和(2)中所述的过筛为过120-180目筛。

15.如权利要求3所述的铌酸银基陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(3)中将粉料B与造粒剂混合后造粒，干燥，陈化后成型，得到陶瓷生坯片。