[发明专利]光学元件面形修正方法及装置

权利要求书

1.一种光学元件面形修正方法，其特征在于，应用于包括多个团簇离子束产生装置的光学元件面形修正装置，其中，各所述团簇离子束产生装置的输入口与提供不同源气的源气供给单元连接，所述方法包括：

在待加工光学元件的初始面形精度大于第一预设阈值时，开启所述多个团簇离子束产生装置中的第一团簇离子束产生装置并采用第一预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工，直至所述待加工光学元件的面形精度达到第二预设阈值；

在所述待加工光学元件的面形精度在所述第二预设阈值的基础上，开启所述多个团簇离子束产生装置中的第二团簇离子束产生装置并采用第二预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工，直至所述待加工光学元件的面形精度小于第三预设阈值；

在所述待加工光学元件的面形精度小于所述第三预设阈值的基础上，开启所述多个团簇离子束产生装置中的第三团簇离子束产生装置并采用第三预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工，直至所述待加工光学元件的表面粗糙度小于设定值。

2.根据权利要求1所述的光学元件面形修正方法，其特征在于，所述在待加工光学元件的初始面形精度大于第一预设阈值时，开启所述多个团簇离子束产生装置中的第一团簇离子束产生装置并采用第一预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工的步骤之前，所述方法还包括：

获得待加工光学元件的初始面形，根据所述初始面形得到所述待加工光学元件的初始面形精度；

将获得的所述初始面形与目标设计面形进行比较，以获得所述待加工光学元件的目标加工点，以及所述目标加工点的目标去除量。

3.根据权利要求2所述的光学元件面形修正方法，其特征在于，所述在待加工光学元件的初始面形精度大于第一预设阈值时，开启所述多个团簇离子束产生装置中的第一团簇离子束产生装置并采用第一预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工的步骤，包括：

在所述待加工光学元件的初始面形精度大于600nm时，开启所述多个团簇离子束产生装置中的第一团簇离子束产生装置并采用第一预设加工模式针对所述待加工光学元件上的目标加工点进行加工。

4.根据权利要求1所述的光学元件面形修正方法，其特征在于，所述开启所述多个团簇离子束产生装置中的第一团簇离子束产生装置并采用第一预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工，直至所述待加工光学元件的面形精度达到第二预设阈值的步骤，包括：

所述第一预设加工模式采用第一团簇离子束产生装置产生第一Ar团簇离子束，以所述第一Ar团簇离子束对所述待加工光学元件进行加工，以使所述待加工光学元件的面形精度达到第二预设阈值，其中，所述第二预设阈值为60nm。

5.根据权利要求4所述的光学元件面形修正方法，其特征在于，所述第一团簇离子束产生装置产生第一Ar团簇离子束，以所述第一Ar团簇离子束对所述待加工光学元件进行加工的步骤，包括：

所述第一团簇离子束产生装置将输入的第一Ar团簇气体源转化为第一Ar团簇离子束，其中，所述第一Ar团簇气体源的原子数量在1～200之间，所述第一Ar团簇离子束的能量大于等于20kV；

将所述第一Ar团簇离子束以第一入射角的方向作用于所述待加工光学元件以对所述待加工光学元件进行加工，其中，所述第一入射角为0°～90°。

6.根据权利要求1所述的光学元件面形修正方法，其特征在于，所述开启所述多个团簇离子束产生装置中的第二团簇离子束产生装置并采用第二预设加工模式对所述待加工光学元件进行加工，直至所述待加工光学元件的面形精度小于第三预设阈值的步骤，包括：

所述第二预设加工模式采用第二团簇离子束产生装置产生C₆₀团簇离子束，以所述C₆₀团簇离子束对所述待加工光学元件进行加工，以使所述待加工光学元件的面形精度小于第三预设阈值，其中，所述第三预设阈值为30nm。