[发明专利]静电卡盘有效
申请号: | 201811048903.1 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN110890305B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 杨鹏远;张玉利;王建冲;侯占杰;唐娜娜;韩玮琦;黎远成;荣吉平;姜鑫 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 卡盘 | ||
1.一种静电卡盘,包括:绝缘层、金属基座和介于绝缘层与金属基座之间的加热层,所述绝缘层朝向所述加热层的一面为第一对接面,所述金属基座朝向所述加热层的一面为第二对接面;其特征在于:
所述第一对接面和第二对接面的至少其中之一开设有凹槽,借助所述凹槽使所述第一对接面和第二对接面相对贴合组装在一起后在所述第一对接面和第二对接面之间形成一个容纳室;
所述加热层、所述加热层与所述绝缘层之间的第一粘接材料层、所述加热层与所述金属基座之间的第二粘接材料层均设于所述容纳室内部,所述容纳室具有侧壁;
所述加热层的周围与所述侧壁之间设有陶瓷环或者所述侧壁的外侧套设有陶瓷环;利用陶瓷环封堵在所述绝缘层与金属基座间接缝的任一端,对组装完成后的静电 卡盘外观上可见的所有接缝采用熔射方式填入陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一对接面和所述第二对接面相对贴合组装在一起后,所述绝缘层与所述金属基座之间具有接缝,所述接缝一端朝向所述容纳室的外部,另一端朝向所述容纳室的内部,所述陶瓷环封堵在所述接缝的任一端。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述金属基座的第二对接面设有凹槽,所述凹槽的周围为凹槽壁;所述第一对接面对应所述凹槽设有凸起部,所述凸起部的周围对应所述凹槽壁形成肩部;所述第一对接面与第二对接面相对贴合组装在一起后,所述凹槽壁的顶部与所述肩部抵接,所述凸起部凸伸于所述凹槽内且与所述凹槽的底部具有间距;所述间距及所述凹槽壁构成所述容纳室,所述陶瓷环设在所述加热层的周围与所述凹槽壁之间。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述凸起部的外径与所述凹槽的内径相当,使所述第一对接面的凸起部与所述第二对接面的凹槽为紧配合;所述陶瓷环的外径与所述凹槽内径相当,使陶瓷环与所述凹槽为紧配合。
5.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述金属基座的第二对接面设有凹槽,所述凹槽的周围为凹槽壁;所述陶瓷环设于所述凹槽内且所述陶瓷环高出所述凹槽壁一段长度;所述第一对接面对应所述陶瓷环的中央设有凸起部,所述凸起部的周围对应所述陶瓷环形成环形卡槽,所述环形卡槽具有第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁为所述凸起部的周壁,所述第二侧壁位于所述第一对接面的周缘且与所述凹槽壁对应;所述第一对接面与第二对接面相对贴合组装在一起后,所述凹槽壁的顶部与所述第二侧壁抵接构成所述容纳室的侧壁,所述陶瓷环卡入所述环形卡槽,所述凸起部凸伸于所述陶瓷环内且与所述凹槽的底部具有间距;所述间距内设有所述加热层。
6.根据权利要求5所述的静电卡盘,其特征在于,所述凸起部的外径与所述陶瓷环的内径相当,使所述凸起部与所述陶瓷环紧配合;和/或所述陶瓷环卡入所述环形卡槽且与所述环形卡槽为紧配合。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述第一对接面设有第一凹槽,所述第二对接面设有第二凹槽,所述第一凹槽的周围为绝缘层凹槽壁,所述第二凹槽的周围为金属座凹槽壁;所述第一对接面与第二对接面相对贴合组装在一起后,所述第一凹槽与第二凹槽组成所述容纳室,所述金属座凹槽壁顶部与所述绝缘层凹槽壁抵接组成所述容纳室的侧壁;所述侧壁的外侧套设有所述陶瓷环。
8.根据权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述陶瓷环与所述侧壁为紧配合。
9.根据权利要求7所述的静电卡盘,其特征在于,所述加热层的周围与所述侧壁之间套设有陶瓷环。
10.根据权利要求1-9任一项所述的静电卡盘,其特征在于,其中所述陶瓷环被替换成玻璃环或密胺树脂环。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造