[发明专利]多晶硅片的制备系统

权利要求书

1.一种多晶硅片的制备系统，其特征在于：包括多晶硅提纯及生长装置（27）、多晶硅锭切割装置（28）、硅片裁切装置（29）、硅片清洗装置（30）以及硅片烘干装置（31），所述多晶硅提纯及生长装置（27）用于生长多晶硅锭，所述生长装置与所述切割装置之间设置有第一传送装置（32），所述第一传送装置（32）用于将所述生长装置提纯并生长的多晶硅锭传输给所述切割装置，所述切割装置用于对所述多晶硅锭进行切割，制备成厚度符合要求的多晶硅片，所述切割装置与所述裁切装置之间设置有第二传送装置（33），所述第二传送装置（33）用于将所述切割装置切割后的多晶硅片传送至所述硅片裁切装置进行裁切，所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状，所述裁切装置与所述清洗装置之间设置有第三传送装置（34），所述第三传送装置（34）用于将所述裁切装置裁切后的多晶硅片传送至所述清洗装置，所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质，所述清洗装置与所述烘干装置之间设置有第四传送装置（35），所述第四传送装置用于将清洗后的硅片传送给所述烘干装置进行烘干处理，所述烘干装置上设置有硅片取出装置，所述硅片取出装置用于将烘干后的多晶硅片取出。

2.如权利要求1所述的多晶硅片的制备系统，其特征在于：所述多晶硅提纯及生长装置包括炉体（4），所述炉体（4）的底部设置有坩埚杆（16），所述坩埚杆（16）的下端位于所述炉体（4）外，所述坩埚杆（16）的上端位于所述炉体（4）内，坩埚杆（16）的上端固定有坩埚支撑（7），所述坩埚支撑（7）内设置有多功能电解槽坩埚（6），所述坩埚包括位于下侧的坩埚籽晶部（6-3）、位于中部的坩埚晶体生长部（6-2）以及位于上侧的坩埚电解部（6-1），所述坩埚电解部（6-1）的直径大于所述坩埚晶体生长部（6-2）的直径，所述坩埚晶体生长部（6-2）的直径大于所述坩埚籽晶部（6-3）的直径，所述坩埚支撑（7）与所述多功能电解槽坩埚（6）相适配，与所述坩埚籽晶部（6-3）相接触的坩埚支撑（7）的外侧设置有区域提纯用感应线圈（18），所述区域提纯用感应线圈（18）通过感应线圈支撑（17）进行支撑，且所述感应线圈支撑（18）上设置有线圈上下驱动装置，用于驱动所述感应线圈支撑（17）带动所述感应线圈（18）上下运动，对坩埚晶体生长部（6-2）内的多晶硅（25）进行区域提纯；

与所述坩埚晶体生长部（6-2）相接触的坩埚支撑（7）的外侧从下到上设置有第一加热器（14）和第二加热器（13），所述坩埚籽晶部（6-3）与坩埚晶体生长部（6-2）的交汇处设置有第一水平过渡连接部，所述坩埚晶体生长部（6-2）与所述坩埚电解部（6-1）的交汇处设置有第二水平过渡连接部，与所述第二水平过渡连接部相接触的坩埚支撑（7）上设置有第三加热器（12），与所述坩埚电解部（6-1）相接触的坩埚支撑（7）的外侧从下到上设置有第四加热器（11）和第五加热器（10），位置分别与铜-硅熔体（9）及二氧化硅熔盐（8）的位置相对应；第一至第五加热器的外侧设置有磁感应器（19），所述磁感应器（19）用于对所述坩埚电解部（6-1）内的物料进行电磁搅拌，所述磁感应器（19）的上侧面低于二氧化硅熔盐（8）的上表面，高于二氧化硅熔盐（8）与硅-铜熔体（9）的界面，所述磁感应器（19）的下侧面低于坩埚晶体生长部（6-2）与所述坩埚电解部（6-1）的交汇处，高于硅籽晶（26）与硅-铜熔体（9）的界面，所述坩埚电解部（6-1）内设置有石墨电极阳极（5）和石墨电极阴极（20），所述坩埚电解部（6-1）上侧的所述炉体（4）上设置有粗二氧化硅承载器（24），所述粗二氧化硅承载器（24）用于承载粗二氧化硅（23）。

3.如权利要求2所述的多晶硅片的制备系统，其特征在于：所述第一加热器（14）和第二加热器（13）分别包括两个半环型的加热器；且左半环的第一加热器与左半环的第二加热器上下固定连接，右半环的第一加热器与右半环的第二加热器上下固定连接，左半环的第一加热器和右半环的第一加热器上分别固定连接有加热器移动装置（15），所述加热器移动装置（15）用于驱动左半环的第一加热器和右半环的第一加热器水平运动。