[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法在审
申请号: | 201811050984.9 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109085736A | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 徐一建;梁凤云;侯士权;王婷;倪凌云 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主图形 光学邻近修正 辅助图形 修正 辅助连接 初始光刻掩膜 掩膜版 连接图形 判断规则 图形连接 静电 尖脚 桥接 缺角 损毁 制作 | ||
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:
提供初始光刻掩膜图形,所述初始光刻掩膜图形包括若干主图形;
基于静电易发生判断规则,从所述若干主图形中获取主图形组,所述主图形组包括相邻的至少两个主图形;
在所述主图形组中相邻的主图形之间设置辅助图形,所述辅助图形包括辅助主图形和位于辅助主图形两侧的辅助连接图形,所述辅助连接图形连接辅助主图形和主图形;
对若干主图形和辅助图形进行OPC修正,使主图形形成主修正图形,使辅助图形形成辅助修正图形,所述辅助修正图形包括对应所述辅助主图形的辅助修正主图形和对应所述辅助连接图形的辅助修正连接图形。
2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述主图形组中各主图形的边缘具有拐点;所述光学邻近修正方法还包括:获取所述主图形组中相邻的主图形之间的连接线,所述连接线的两端分别与位于相邻主图形上的拐点连接;获取所述连接线中的最短连接线;在最短连接线上设置辅助图形,所述辅助主图形的中心位于所述最短连接线上,所述辅助连接图形的延伸方向平行于所述最短连接线。
3.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述辅助主图形的中心与所述最短连接线的中心重合。
4.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法,其特征在于,对于辅助主图形和辅助主图形两侧的主图形,辅助图形的中心至辅助图形一侧的主图形的距离等于辅助图形的中心至辅助图形另一侧的主图形的距离。
5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述辅助主图形为多边形或圆形。
6.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述辅助主图形为环状结构。
7.根据权利要求6所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述辅助主图形为圆环状结构。
8.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述辅助连接图形为条形状结构。
9.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述静电易发生判断规则包括面积判断规则、距离判断规则和角度判断规则;所述主图形组满足面积判断规则、距离判断规则和角度判断规则中的至少一个规则中的条件。
10.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述面积判断规则为:对于所述主图形组中相邻的主图形,各主图形的面积均大于1平方微米。
11.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述主图形组中各主图形的边缘具有拐点;所述主图形组中相邻的主图形之间具有最短连接线,所述最短连接线的两端分别与位于相邻主图形上的拐点连接;所述距离判断规则为:所述最短连接线的长度小于或者等于0.3um。
12.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法,其特征在于,所述主图形组中各主图形的边缘具有拐点;所述主图形组中相邻的主图形之间具有最短连接线,所述最短连接线的两端分别与位于相邻主图形上的拐点连接;所述角度判断规则为:所述最短连接线连接的至少一个拐点处对应的主图形的内角大于0°小于180°。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备