[发明专利]低粗糙度掺磷多晶硅薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811051874.4 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109192656A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许涛 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司微纳制造分公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 掺磷多晶硅 低粗糙度 薄膜 反应炉 反应剂气体 衬底 炉压 沉积 多晶硅薄膜表面 多晶硅薄膜 气体流量 退火处理 应力要求 粗糙度 多晶硅 鼓包 配比 生长 | ||
1.一种低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供衬底和反应炉；
S2、将所述衬底至于所述反应炉中，在沉积温度为550-650℃，工艺炉压为150-450mt的条件下采用LPCVD工艺生长P掺杂多晶硅薄膜，其中，反应剂气体包括SiH4和PH3；
S3、对S2中得到的结构作退火处理，得到所述低粗糙度掺磷多晶硅薄膜。
2.如权利要求1所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述反应剂气体的气体流量配比为PH3:SiH4＝1:200-1:40。
3.如权利要求1所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述沉积温度为590-620℃。
4.如权利要求1所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述工艺炉压为170-350mt。
5.如权利要求1所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为二氧化硅衬底。
6.如权利要求1至5中任一项所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，还包括多晶硅薄膜表面的粗糙度监控步骤：通过半导体制造设备观察所述多晶硅薄膜表面的鼓包数量情况。
7.如权利要求6所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，还包括多晶硅薄膜表面的粗糙度调整步骤：当在所述粗糙度监控步骤中发现所述鼓包数量增多时，调整所述沉积温度、工艺炉压和反应剂气体的气体流量配比。
8.如权利要求6所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述半导体制造设备为SEMVsion设备。
9.根据如权利要求1至8中任一项所述的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜的制备方法所制备得到的低粗糙度掺磷多晶硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
