[发明专利]一种光电倍增管的电磁屏蔽结构有效
申请号: | 201811052779.6 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109192647B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 吴和宇;吕绮雯 | 申请(专利权)人: | 江苏赛诺格兰医疗科技有限公司 |
主分类号: | H01J43/28 | 分类号: | H01J43/28;H01J9/20 |
代理公司: | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人: | 韩国胜 |
地址: | 225200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电倍增管 电磁 屏蔽 结构 | ||
本发明提供一种光电倍增管的电磁屏蔽结构,包括:光电倍增管的管体外围依次设有屏蔽层和绝缘层;所述屏蔽层与所述管体的管壁接触,以对所述管体进行电场和磁场屏蔽,所述绝缘层包裹所述屏蔽层,以对所述屏蔽层进行封装隔离;所述屏蔽层与所述光电倍增管的相应管脚连接,且所述屏蔽层为由坡莫合金材料制备的单层结构。上述结构可以在不影响电磁屏蔽效果的情况下,减少封装屏蔽层厚度,使得封装过程更加简便,屏蔽效果更加可靠。
技术领域
本发明涉及光电倍增管封装技术,特别是一种光电倍增管的电磁屏蔽结构。
背景技术
光电倍增管是一种技术成熟,使用广泛的光探测器件,广泛应用于光子计数、极微弱光探测、化学发光、生物发光研究、极低能量射线探测、分光光度计、旋光仪、色度计、照度计、尘埃计、浊度计、光密度计、热释光量仪、辐射量热计、扫描电镜、生化分析仪等仪器设备中。
光电倍增管本身是一种具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏真空器件,其结构与工作原理决定了器件本身对电场以及磁场具有极高敏感性,在许多光电倍增管精细测量时,环境的静电场、静磁场以及变化的电磁场(即电磁波)都会对测量结果产生影响,为了降低电场与磁场对光电倍增管的影响,需要对光电倍增管进行电磁屏蔽。对于一些位置灵敏探测器来说,光电倍增管的摆放位置包括光电倍增管本身的尺寸都要进行控制。
现有技术中对光电倍增管进行磁屏蔽之后,还要进行电屏蔽。如果电屏蔽包裹层为金属材料,形成电势的等位面,屏蔽了内部形成电势差的可能。对于使用正高压工作的光电倍增管,电屏蔽层应与接地管脚连接;对于使用负高压工作的光电倍增管,电屏蔽层应与负高压管脚连接。光电倍增管外壳一般采用玻璃或石英材质,表面光滑,传统方法在光电倍增管外壁涂导电漆做电屏蔽,导电漆的特性决定在光滑表面附着力差,在后续封装过程中很容易被蹭掉,可靠性差;通过增加底漆层再加导电漆的方法或者使用金属外壳做电屏蔽的方法,都会大大增加电屏蔽层的厚度。
发明内容
为解决现有技术中光电倍增管的屏蔽和尺寸控制的问题,本发明的目的是在不影响电磁屏蔽效果的情况下,减小封装屏蔽层厚度,使封装过程更加简便,屏蔽效果更加可靠。
本发明的技术方案如下:
第一方面,本发明提供一种光电倍增管的电磁屏蔽结构,包括:
光电倍增管的管体外围依次设有屏蔽层和绝缘层;
所述屏蔽层与所述管体的管壁接触,以对所述管体进行电场和磁场屏蔽,所述绝缘层包裹所述屏蔽层,以对所述屏蔽层进行封装隔离;
所述屏蔽层与所述光电倍增管的相应管脚连接,且所述屏蔽层为由坡莫合金材料制备的单层结构。
可选地,所述屏蔽层的厚度根据所述管体的磁屏蔽强度要求设置。
可选地,所述屏蔽层通过金属裸导线与接地管脚(正高压)/高压管脚(负高压)电连接,所述金属裸导线与所述接地管脚(正高压)/高压管脚(负高压)连接区域由导电银漆固定。
可选地,所述导线的一接触端位于管体和屏蔽层之间,并粘贴在所述管体上,且与屏蔽层导通,另一接触端绑在所述接地管脚(正高压)/高压管脚(负高压)上。
第二方面,本发明提供一种光电倍增管屏蔽层电位设置方法,包括:
S1、选取用于进行屏蔽层电位固定的金属裸导线;
S2、将金属裸导线的中间区域绑在光电倍增管的接地管脚(正高压)/高压管脚(负高压)上;将金属裸导线的两端区域粘贴在所述光电倍增管管体的管壁上;
S3、采用导电银漆固定绑在管脚上的金属裸导线;
S4、在所述管壁外围设置屏蔽层,所述屏蔽层压住粘贴在管壁上的所述金属裸导线,且与金属裸导线电导通。
可选地,所述S2包括:
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