[发明专利]半导体器件、硬掩膜结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811053138.2 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110890273A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 膜结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种硬掩膜结构的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层的厚度由所述掩膜材料层的中心向边缘逐渐减小或增大；
在所述掩膜材料层远离所述衬底的表面形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光并显影，形成多个显影区，各所述显影区露出所述掩膜材料层；
在所述显影区对所述掩膜材料层进行刻蚀，以形成掩膜图案；
去除所述光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在衬底上形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层的厚度由所述掩膜材料层的中心向边缘逐渐减小包括：
利用第一气体和第二气体通过化学气相沉积方式在所述衬底上形成掩膜材料层，所述第一气体的密度小于所述第二气体的密度，且所述第一气体的体积流量与所述第二气体的体积流量之比小于1:1。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一气体的体积流量与所述第二气体的体积流量之比不小于1:2。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在衬底上形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层的厚度由所述掩膜材料层的中心向边缘逐渐增大包括：
利用第一气体和第二气体通过化学气相沉积方式在所述衬底上形成掩膜材料层，所述第一气体的密度小于所述第二气体的密度，且所述第一气体的体积流量与所述第二气体的体积流量之比大于1:1。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一气体的体积流量与所述第二气体的体积流量之比不大于2:1。
6.根据权利要求2-5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一气体为氦气，所述第二气体为氧气。
7.根据权利要求1-5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜材料层远离所述衬底的表面为弧面。
8.根据权利要求1-5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜材料层的材料为SiO2、SiN、TaN和TiN中至少一种。
9.一种硬掩膜结构，其特征在于，包括：
衬底；
掩膜材料层，设于所述衬底，且所述掩膜材料层的厚度由中心向边缘逐渐减小或增大，且所述掩膜材料层具有掩膜图案。
10.根据权利要求7所述的硬掩膜结构，其特征在于，所述掩膜材料层远离所述衬底的表面为弧面。
11.根据权利要求8所述的硬掩膜结构，其特征在于，所述掩膜材料层的材料为SiO2、SiN、TaN和TiN中至少一种。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求9-11任一项所述的硬掩膜结构。
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