[发明专利]非晶硅的成膜方法

权利要求书

1.一种非晶硅的成膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、提供一半导体衬底，对所述半导体衬底表面进行预热；

步骤二、将所需厚度的非晶硅层分成两层以上的非晶硅子层；

步骤三、依次采用CVD沉积工艺形成各所述非晶硅子层且在各所述非晶硅子层之间插入等离子体预处理的步骤；

各所述非晶硅子层都采用硅烷分解形成，在所述硅烷分解过程中会形成SiH键组成的稳定组态，通过控制所述非晶硅子层的厚度防止SiH键在所述非晶硅子层的体内积聚，结合所述非晶硅子层之后的所述等离子体预处理将所述非晶硅子层的SiH键的氢原子从表面释放，最后防止由各所述非晶硅子层叠加形成的所述非晶硅层产生汽泡状隆起及薄膜脱落缺陷；

各所述非晶硅子层的厚度为

通过调节所述CVD沉积工艺的温度调节在沉积过程中SiH键的扩散速率，所述CVD沉积工艺的温度越高，SiH键的扩散速率越快，越有利于防止汽泡状隆起出现。

2.如权利要求1所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。

3.如权利要求2所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：步骤一中的所述预热的工艺条件为：温度为200℃～450℃，Ar流量为10毫升/分～200毫升/分，时间为1分钟～5分钟。

4.如权利要求1所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：所述非晶硅层的厚度为所述非晶硅子层的数量为2层。

5.如权利要求1所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：步骤三中各所述非晶硅子层对应的CVD沉积工艺为PECVD沉积工艺。

6.如权利要求5所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：各所述非晶硅子层对应的CVD沉积工艺调节为：温度为200℃～400℃，硅烷流量为1毫升/分～200毫升/分，压强为10torr～1000torr。

7.如权利要求1所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：所述非晶硅层应用于MEMS工艺中并作为牺牲层。

8.如权利要求7所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：在步骤一提供的所述半导体衬底表面还形成有图形化的金属层。

9.如权利要求7所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：在步骤三之后，还包括步骤：

步骤四、采用光刻刻蚀工艺对所述非晶硅层进行图形化；

步骤五、形成MEMS的结构层，所述结构层覆盖对应的所述非晶硅层的图形结构的顶部表面和侧面以及所述非晶硅层的图形结构外部的表面；

步骤六、去除对应的所述非晶硅层得到由所述结构层组成的悬空结构。

10.如权利要求9所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：步骤六中采用湿法刻蚀去除对应的所述非晶硅层。

11.如权利要求10所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：步骤六中的所述湿法刻蚀的溶液采用碱性溶液。

12.如权利要求11所述的非晶硅的成膜方法，其特征在于：步骤六中的所述湿法刻蚀的碱性溶液包括四甲基氢氧化铵。