[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

选择晶体管，在半导体衬底上；

层间绝缘层，覆盖所述选择晶体管；

下接触插塞，联接到所述选择晶体管的漏极区域并且构造为穿透所述层间绝缘层，所述下接触插塞包括金属图案和与所述金属图案的顶表面接触的盖金属图案，所述金属图案的所述顶表面具有第一表面粗糙度，所述盖金属图案包括顶表面，所述盖金属图案的所述顶表面具有第二表面粗糙度，所述第二表面粗糙度小于所述第一表面粗糙度；以及

磁隧道结图案，联接到所述下接触插塞，所述磁隧道结图案包括底电极、顶电极、在所述顶电极与所述底电极之间的下磁层和上磁层、以及在所述下磁层与所述上磁层之间的隧道势垒层。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述盖金属图案的所述顶表面与所述磁隧道结图案的所述底电极直接接触。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述金属图案的所述顶表面不与所述磁隧道结图案直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述金属图案包括第一金属性材料，以及

所述盖金属图案包括第二金属性材料，所述第二金属性材料不同于所述第一金属性材料。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中

所述第一金属性材料包括钨，以及

所述第二金属性材料包括钛氮化物。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述盖金属图案和所述底电极包括共同的金属性材料。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述金属图案的中心部分的高度小于所述金属图案的边缘部分的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述盖金属图案的宽度小于所述磁隧道结图案的所述底电极的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述盖金属图案的所述顶表面在比所述层间绝缘层的顶表面的水平高的水平处。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中

所述下接触插塞还包括阻挡金属图案，所述阻挡金属图案覆盖所述金属图案的侧表面和所述金属图案的底表面，

所述阻挡金属图案在所述金属图案的所述侧表面上具有第一厚度，以及

所述盖金属图案在所述金属图案的所述顶表面上具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，其中所述盖金属图案和所述阻挡金属图案包括共同的材料。

12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

在所述层间绝缘层上的盖绝缘层，所述盖绝缘层覆盖所述磁隧道结图案的侧表面，

其中所述金属图案与所述盖金属图案之间的界面在比所述盖绝缘层的底表面的水平低的水平处。

13.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

在所述层间绝缘层上的盖绝缘层，所述盖绝缘层覆盖所述磁隧道结图案的侧表面，

其中所述金属图案与所述盖金属图案之间的界面在所述盖绝缘层的底表面之上。