[发明专利]IZO靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 201811055653.4 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109837512B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;山本浩由;角田浩二;奈良淳史 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | izo 及其 制造 方法 | ||
1.一种IZO靶材，其中，
具有如下的整体组成：含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.030～0.250、Sn/(In+Sn+Zn)＝0.002～0.080，余量由O和不可避免的杂质构成，该IZO靶材具有靶材组织，所述靶材组织中分散有通过FE－EPMA特定的、含有In、Sn和O的粒径为200nm以上的Sn偏析粒。
2.根据权利要求1所述的IZO靶材，其中，
该IZO靶材含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Sn/(In+Sn+Zn)＝0.010～0.030。
3.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
该IZO靶材含有In、Sn和Zn，以原子比计满足Zn/(In+Sn+Zn)＝0.040～0.200。
4.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
粒径为200nm以上的Sn偏析粒以0.003个/μm2以上的个数密度存在于靶材组织中。
5.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
粒径为1000nm以上的Sn偏析粒以0.0003个/μm2以上的个数密度存在于靶材组织中。
6.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
该IZO靶材的相对密度为90％以上。
7.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
该IZO靶材的体积电阻为0.3mΩ·cm以上且不足7.0mΩ·cm。
8.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
所述Sn偏析粒的平均粒径为450nm以上且9000nm以下。
9.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
粒径为10000nm以上的Sn偏析粒以0.0002个/μm2以下的个数密度存在于靶材组织中。
10.根据权利要求1或2所述的IZO靶材，其中，
该IZO靶材还含有B，以原子比计满足B/(In+Sn+Zn+B)≤0.036。
11.权利要求1～9中任一项所述的IZO靶材的制造方法，其中，
该方法包括：将ITO粉、In2O3粉和ZnO粉的混合物进行烧结的工序。
12.根据权利要求11所述的IZO靶材的制造方法，其中，
构成ITO粉的各粒子含有In和Sn，以原子比计满足6≤In/Sn≤36。
13.权利要求10所述的IZO靶材的制造方法，其中，
该方法包括：将ITO粉、In2O3粉、ZnO粉和B2O3粉的混合物进行烧结的工序。
14.一种成膜方法，其中，
该方法包括：使用权利要求1～10中任一项所述的IZO靶材进行溅射的工序。
15.根据权利要求14所述的成膜方法，其中，
在氧浓度为0.1vol％以下的气氛气体中实施溅射工序。
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