[发明专利]检查光刻掩模的方法和进行该方法的掩模度量设备

权利要求书

1.在掩模度量设备中检查用于极紫外(EUV)波长范围的光刻掩模的方法，其中所述方法包含以下步骤：

a.选择所述掩模的至少一个结构化区域，

b.确定在所述光刻生产运行中提供给所述掩模的所述极紫外(EUV)波长范围中的扫描仪光子数，

c.确定进行测量的所述极紫外(EUV)波长范围中的度量光子数，

d.基于来自步骤b的所述扫描仪光子数和来自步骤c的所述度量光子数确立光子统计检查模式，

e.用所述掩模度量设备产生所述至少一个结构化区域的至少一个空间像。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，出于生产的目的，用与所述扫描仪光子数实质相同的度量光子数来记录所述至少一个空间像。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，出于产生所述至少一个空间像的目的，进行以下步骤：

·以偏离于所述扫描仪光子数的度量光子数记录所述至少一个结构化区域的至少一个支持空间像，

·从所述至少一个支持空间像、所述极紫外(EUV)波长范围中的光子统计的模型、所述扫描仪光子数和所述度量光子数，计算所述空间像。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，以度量光子数记录所述至少一个支持空间像，所述度量光子数远大于所述扫描仪光子数，使得通过所述光子统计对所述至少一个支持空间像的贡献可忽略不计。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，出于产生所述至少一个空间像的目的，进行以下步骤：

·以彼此不同的两个度量光子数记录至少两个支持空间像，

·从所述至少两个支持空间像插值或外推所述空间像。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，包含以下附加的步骤：

·从所述空间像判定所述结构化区域的至少一个结构参数。

7.根据权利要求6的所述方法，其中，所述至少一个结构参数选自临界尺寸(CD)、线边缘粗糙度(LER)、线宽度粗糙度(LWR)、临界尺寸的均匀性(CDU)、临界尺寸的局部均匀性(LCDU)或对比度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中应用光刻胶的模型以判定所述至少一个结构参数。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述结构化区域包含预期的结构和至少一个缺陷。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中过程变化带的表示是所述掩模度量设备的输出。

11.根据权利要求8的所述的方法，其中分别指示所述光刻掩模的至少一个结构参数、光子统计和/或光刻胶的贡献。

12.掩模度量设备，其中所述掩模度量设备设计为进行权利要求1至11中任一项所述的方法步骤。