[发明专利]光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法

说明书

光掩模及其修正方法、制造方法、显示装置的制造方法，以稳定的条件高效地修正在转印用图案上产生的缺陷，并恢复该转印用图案的转印性。光掩模具备在透明基板上形成的转印用图案。转印用图案包括：主图案，其由透光部构成，直径为W1(μm)；辅助图案，其配置在主图案的附近，不被曝光装置析像，具备宽度d(μm)；及遮光部，其构成除了主图案和辅助图案以外的区域。遮光部是在透明基板上至少形成遮光膜而成的。辅助图案具有针对曝光用光的代表波长的光的透射率T(％)，并且隔着遮光部而将主图案的周围包围。在辅助图案上产生白缺陷且该白缺陷为辅助图案的面积的1/8以下时，在白缺陷部分形成遮光性的补充膜。

技术领域

本发明涉及有利于制造以液晶显示器、有机EL显示器为代表的显示装置的光掩模的修正(修复)方法及由此得到的光掩模、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法。

背景技术

专利文献1中记载有一种光掩模，其具备通过将透明基板上成膜的半透光膜及低透光膜分别进行构图而形成的转印用图案，所述半透光膜将i线～g线的波长范围内的代表波长的光偏移大致180度，并具备针对所述代表波长的光的透射率T(％)，并且所述低透光膜针对所述代表波长的光而具备低于所述半透光膜的透射率T(％)的透射率T2(％)，所述转印用图案具备：主图案，其由露出所述透明基板的透光部构成，直径为W1(μm)；辅助图案，其配置在所述主图案的附近，由在所述透明基板上形成有所述半透光膜的半透光部构成，宽度为d(μm)；及低透光部，其配置在所述转印用图案中的形成有所述主图案及所述辅助图案的区域以外的区域，在所述透明基板上至少形成有所述低透光膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特开2016-024264号公报

发明内容

发明要解决的课题

现在，在包括液晶显示装置、EL显示装置等的显示装置中，要求更明亮且省电，同时要求高精细、高速显示、宽视场角这样的显示性能的提高。

例如，从上述显示装置中使用的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)来讲，在构成TFT的多个图案当中，如果形成于层间绝缘膜的接触孔不具备可靠地使上层和下层的图案连接的作用，则不能保证准确的动作。另一方面，例如为了极力扩大液晶显示装置的孔径比而实现明亮且省电的显示装置，要求接触孔的直径足够小等，要求显示装置的高密度化的同时，还要求孔图案的直径的微细化(例如，小于3μm)。例如，需要直径为0.8μm以上2.5μm以下的孔图案，进一步需要直径为2.0μm以下的孔图案，具体地形成具备0.8～1.8μm的直径的图案也成为课题。

与显示装置相比，在集成度高，图案的微细化显著提高的半导体装置(LSI)制造用光掩模的领域中，为了得到较高的析像性，存在曝光装置中适用数值孔径NA较大(例如，超过0.2)的光学系统并促进曝光用光的短波长化的过程。其结果，在该领域中，大多使用KrF、ArF的准分子激光(分别为248nm、193nm的单一波长)。

另一方面，在显示装置制造用的光刻领域中，为了提高析像性，一般情况下并非适用如上述的方法。例如，在该领域中使用的曝光装置所具有的光学系统的NA(数值孔径)为0.08～0.15程度。另外，作为曝光用光源也大多使用i线、h线或g线，通过使用主要包括这些的宽波长范围光源，从而得到用于照射大面积(例如，一条边为300～2000mm的四边形)的光量，由此重视生产效率、成本的倾向较大。