[发明专利]接触孔填充方法及结构、集成电路芯片在审
| 申请号： | 201811056353.8 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110890318A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 填充 方法 结构 集成电路 芯片 | ||
1.一种接触孔填充方法，其特征在于，包括：
在衬底上沉积阻挡层；
在所述阻挡层上沉积晶种层；
通入惰性气体，加热所述衬底、阻挡层和晶种层至第一预设温度；
在第一预设温度下，采用第一功率沉积第一填充层；
在第一预设温度下，采用第二功率沉积第二填充层，其中，第一功率小于第二功率；
其中，所述晶种层、所述第一填充层和所述第二填充层的材料为铝。
2.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述第一功率为2kw～10kw；
所述第二功率为18kw～35kw。
3.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：
Ti、Ta、TiN和TaN中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述阻挡层的沉积厚度为5nm～40nm。
5.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述晶种层的沉积厚度为100nm～300nm。
6.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述加热所述衬底、阻挡层和晶种层至第一预设温度时，加热时间为5s～70s。
7.如权利要求1所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述第一预设温度为350℃～480℃。
8.如权利要求1至7任一所述的接触孔填充方法，其特征在于，所述接触孔填充方法还包括：
在所述第二填充层上沉积抗反射层。
9.一种接触孔填充结构，其特征在于，包括通过权利要求1至8任一所述的接触孔填充方法所填充形成的结构。
10.一种集成电路芯片，其特征在于，包括如权利要求9所述的接触孔填充结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811056353.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
