[发明专利]一种Ag/AgCl/WO3纳米薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201811056673.3 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109133669A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李贺;牟宗信;张家良;刘升光 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36;C23C14/35;C23C14/08;C23C18/14 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 纳米薄膜材料 纳米薄膜 基底 浸渍 磁控溅射法 太阳能电池 薄膜表面 光电催化 光还原法 纳米颗粒 附着 可用 沉淀 玻璃 | ||
1.一种Ag/AgCl/WO3纳米薄膜材料，其特征在于，以玻璃为基底，基底上覆有一层WO3纳米薄膜，WO3纳米薄膜上负载有纳米Ag/AgCl颗粒。
2.根据权利要求1所述的Ag/AgCl/WO3纳米薄膜材料，其特征在于，所述的WO3纳米薄膜的厚度为300-600nm。
3.根据权利要求1或2所述的Ag/AgCl/WO3纳米薄膜材料，其特征在于，所述的玻璃为医用载玻片或氧化铟锡透明导电玻璃。
4.一种Ag/AgCl/WO3纳米薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤如下：
(1)基底的预处理：玻璃基底经超声清洗后，待用；
(2)WO3纳米薄膜的制备：采用磁控溅射方法，以金属钨为溅射靶材，以氩气和氧气为工作气体，制备WO3纳米薄膜，随后在马弗炉中退火处理，自然降温至室温；
所述的磁控溅射的工艺参数为工作气压为1-2Pa，溅射功率为80-100W，溅射时间为30-60min；
所述的马弗炉中退火处理：以5-10℃/min的速率升温至400-500℃，保温1-2h后自然降温至室温；
(3)纳米Ag/AgCl/WO3薄膜的制备：以步骤(2)中制备的WO3纳米薄膜为基底，分别依次浸渍在AgNO3和NaCl溶液中各5-10min，循环1-5次，晒干后，在紫外光下照射10-20min，得到Ag/AgCl/WO3纳米薄膜。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的磁控溅射法为直流反应磁控溅射法；所述的氩气流量为60-100sccm，氧气流量为20-50sccm。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的AgNO3和NaCl溶液的浓度均为0.001-0.01mol/L。
7.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的紫外光为20-100W的365nm的紫外光。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的紫外光为20-100W的365nm的紫外光。
9.根据权利要求4、5或8所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的预处理是依次在丙酮，无水乙醇和去离子水中超声波清洗10-20min。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的预处理是依次在丙酮，无水乙醇和去离子水中超声波清洗10-20min。
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