[发明专利]半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀目标；

在所述待刻蚀目标的表面形成第一掩膜层；

在所述第一掩膜层的表面形成第一抗反射层；

在所述第一抗反射层的表面形成第二掩膜层；

在包含氮气的反应气体中，将第二抗反射层形成在所述第二掩膜层的表面；

在所述第二抗反射层的表面形成光刻胶掩膜图案；

使用所述光刻胶掩膜图案作为蚀刻掩膜，蚀刻所述第二抗反射层及所述第二掩膜层，以在所述第一抗反射层上形成第一中间掩膜图案，所述第一中间掩膜图案包括第二掩膜子层及第二抗反射子层；

在所述第一抗反射层及所述第一中间掩膜图案上形成介质层，所述介质层包括形成在所述第一中间掩膜图案的侧部的侧墙；

将所述第一抗反射层上除所述侧墙之外的其他部分蚀刻，以形成第二中间掩膜图案；

使用所述第二中间掩膜图案作为蚀刻掩膜，蚀刻所述第一抗反射层及所述第一掩膜层，以在所述待刻蚀目标上形成目标图案；

所述反应气体还包括甲硅烷气体、一氧化二氮气体及氦气；

在将所述第二抗反射层形成在所述第二掩膜层的表面的过程中，所述甲硅烷气体的流量为200sccm～600sccm，所述一氧化二氮气体的流量为300sccm～1000sccm，所述氦气的流量为8000sccm～12000sccm，所述氮气的流量为2000sccm～5000sccm；

在所述第二抗反射层形成在所述第二掩膜层的表面时，所述氮气的加入用以减少所述第二抗反射层中N-H键的产生。

2.根据权利要求1所述半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二抗反射层包括氮氧化硅。

3.根据权利要求2所述半导体器件的制备方法，其特征在于，在将所述第二抗反射层形成在所述第二掩膜层的表面的过程中，所述第二抗反射层的沉积的速率为0.2nm/sec～1.0nm/sec，温度为250℃～500℃，压力为3tor～10tor，射频功率为100W～300W。

4.根据权利要求1所述半导体器件的制备方法，其特征在于，所述反应气体还包括一氧化氮气体、二氧化氮、四氧化二氮中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述半导体器件的制备方法，其特征在于，所述待刻蚀目标包括二氧化硅、多晶硅、氮化硅中的一种或者多种。

6.根据权利要求1所述半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层和所述第二掩膜层均包括非晶碳，所述第一抗反射层包括氮氧化硅。

7.根据权利要求1所述半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述第二抗反射层的表面形成光刻胶掩膜图案，包括：

在所述第二抗反射层的表面形成光刻胶；

采用具有图案的光掩膜板对所述光刻胶进行光刻工艺。

8.根据权利要求1所述半导体器件的制备方法，其特征在于，所述将所述第一抗反射层上除所述侧墙之外的其他部分蚀刻，以形成第二中间掩膜图案，包括：

对所述介质层执行各向异性蚀刻工艺，以蚀刻除所述第一中间掩膜图案及所述侧墙之外的其他部分；

蚀刻所述第一中间掩膜图案，以形成所述第二中间掩膜图案。